西門(mén)康SEMiX603GAR066HDsIGBT模塊采購(gòu) 庫(kù)存充足一站式采購(gòu)
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
系列 IGBT系列
封裝 標(biāo)準(zhǔn)封裝
批號(hào) new
可控硅類(lèi)型 硅（si）
種類(lèi) 化合物半導(dǎo)體
商品介紹
IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開(kāi)啟電壓Ugs(th) 時(shí)，IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏電流范圍內(nèi)， Id 與Ugs呈線性關(guān)系。柵源電壓受漏電流限制，其值一般取為15V左右。
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