IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵和基之間加上正向電壓和負(fù)向電壓，柵電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動電路時，必須基于以下的參數(shù)來進(jìn)行：器件關(guān)斷偏置的要求、柵電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵- 發(fā)射阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進(jìn)行觸發(fā)，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動電路提供的偏壓更高。



菲茲電子愿為廣大客戶提供優(yōu)良的產(chǎn)品、滿意的服務(wù)。
價格優(yōu)惠、誠實守信是我們的經(jīng)營準(zhǔn)則，
科技創(chuàng)新、互惠互利、共同發(fā)展是我們的共同目標(biāo)！