IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動(dòng)作、高耐壓、有源柵驅(qū)動(dòng)智能化等特點(diǎn)，以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進(jìn)一步擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。另外，通過(guò)模塊封裝方式還可提供眾多派生產(chǎn)品，在大、中容量變換器應(yīng)用中被寄予厚。

概述；

infineon英飛凌晶閘管可控硅FP10R12YT3，可控硅IG

IG模塊幾個(gè)管腳?
IG的封裝很多，有14封裝，6封裝，2封裝，單管。它們的管腳數(shù)是不一樣的。其中最常用的是2封裝，即上下橋。這種器件有7管腳，分別是1、上橋E下橋C。2、下橋E。3、上橋C。4、上橋G。5、上橋GE保護(hù)的E。6、下橋GE保護(hù)的E。7、下橋G。
變頻器為什么用12個(gè)IG模塊?
小功率用的是集成模塊，一個(gè)就可以了，但是一般也就只是做到15KW，18.5KW到90KW一般用三個(gè)IG,110KW用6個(gè)IG ,因?yàn)樽冾l器用IG zui大一般做到400A左右，90KW的要360A，所以3個(gè)可以滿(mǎn)足，110KW要440A，的話(huà)要兩組250A的模塊，達(dá)到500A，像200KW變頻器，需要的IG達(dá)到800A，也就是兩組400A，放大的話(huà)，可以是3組300A，或者4組250A，也就是12個(gè)IG,這樣放大，可以承受很大的瞬間電流。變頻器最核心的就是IG,成本zui高的也是IG,體現(xiàn)一個(gè)品牌的也是在IG的運(yùn)用能力上。

概述；

英飛凌IG模塊，infineon英飛凌晶閘管可控硅FP10R12YT3