IG是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IG是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管。
它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現(xiàn)代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。

infineon英飛凌可控硅FP10R12YT3,IG可控硅

IG在高頻下工作時，其總損耗與開關頻率的關系比較大，因此若希望IG工作在更高的頻率，可選擇更大電流的IG模塊；另一方面，軟開關主要是降低了開關損耗，可使IG模塊工作頻率大大提高。隨著IG模塊耐壓的提高，IG的開關頻率相應下降，下面列出英飛凌IG模塊不同耐壓，不同系列工作頻率fk的參考值。
600V“DLC”開關頻率可達到30KHz
600V“KE3”開關頻率可達到30KHz
1200V“DN2”開關頻率可達到20KHz
1200V“KS4”開關頻率可達到40KHz
1200V“KE3”開關頻率可達到10KHz
1200V“KT3”開關頻率可達到15KHz
1700V“DN2”開關頻率可達到10KHz
1700V“DLC”開關頻率可達到5KHz
1700V“KE3”開關頻率可達到5KHz
3300V“KF2C”開關頻率可達到3KHz
6500V“KF1”開關頻率可達到1KHz

IG的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開關損耗組成，不同的開關頻率，開關損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IG通態(tài)損耗的飽和壓降VCE（sat）和決定IG開關損耗的開關時間（ton，toff）又是一對矛盾，因此應根據不同的開關頻率來選擇不同特征的IG。
在低頻如fk《10KHz時，通態(tài)損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IG系列。對于英飛凌產品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IG；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關損耗降低20％左右，因而“KT3”將更有優(yōu)勢?！癒T3”由于開關速度更快，對吸收與布線要求更高。

可控硅晶閘管，infineon英飛凌可控硅FP10R12YT3

有了IG這種開關，就可以設計出一類電路，通過計算機控制IG，把電源側的交流電變成給定電壓的直流電，或是把各種電變成所需頻率的交流電，給負載使用。這類電路統(tǒng)稱變換器。

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