ABB失壓動作模塊的控制開關(guān)是一個可控硅，交流通過可控硅就會變成半波脈動的電流，這個時候50HZ的400V電流通過只有200V左右，頻率降低到44，電壓會降低到160V左右，失壓模塊肯定要動作了，一般失壓模塊的zui低閾值在175左右。

ABB-IG模塊FZ800R16KF4，ABB可控硅

在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

單向可控硅和雙向可控硅的區(qū)別？
一、指代不同
1、單向可控硅：是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通。
2、雙向可控硅：是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。

二、結(jié)構(gòu)不同

1、單向可控硅：具有三個 PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)，由zui外層的 P 層、N 層引出兩個電極――陽 極 A 和陰極 K，由中間的 P 層引出控制極 G。
2、雙向可控硅：有兩個主電極T1和T2， 一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。

可控硅的主要參數(shù): 1 額定通態(tài)電流（IT)即zui大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。 2 反向重復(fù)峰值電壓（VRRM)或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM*VDRM一般為幾百伏到一千伏。 3 控制極觸發(fā)電流（IGT)，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。

ABB晶閘管，ABB-IG模塊FZ800R16KF4

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。
1、對于單向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。
2、對于雙向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。