IG（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IG綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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需指出的是：IG 參數(shù)表中標(biāo)出的IC 是集電極zui大直流電流，但這個直流電流是有條件的，首先zui大結(jié)溫不能超過150℃，其次還受安全工作區(qū)（SOA）的限制，不同的工作電壓、脈沖寬度，允許通過的zui大電流不同。同時，各大廠商也給出了2 倍于額定值的脈沖電流，這個脈沖電流通常是指脈沖寬度為1ms 的單脈沖能通過的zui大通態(tài)電流值，即使可重復(fù)也需足夠長的時間。如果脈沖寬度限制在10μs 以內(nèi)，英飛凌NPT-IG 短路電流承受能力可高達(dá)10 倍的額定電流值。這種短路也不允許經(jīng)常發(fā)生，器件壽命周期內(nèi)總次數(shù)不能大于1000 次，兩次短路時間間隔需大于1s。但對于PT 型IG，這種短路總次數(shù)不能大于100 次，這是由于NPT-IG 過載能力、可靠性比PT 型高的原因。

R7觸發(fā)時是VT1和VT2同時觸發(fā)導(dǎo)通，斷開后VT3和VT4同時導(dǎo)通，再斷開后VT5和VT6同時導(dǎo)通。循環(huán)模擬正弦波輸出。
R8的是ABC連起來做一相記做U，有另外2個ABC連接記做V和W共三相，U的VT1、VT3、VT5和W的VT4、VT6、VT2同時觸發(fā)導(dǎo)通，斷開后V的VT1、VT3、VT5和U的VT4、VT6、VT2同時導(dǎo)通，斷開后V的VT4、VT6、VT2和W的VT1、VT3、VT5同時導(dǎo)通。循環(huán)形成模擬正弦波輸出。

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應(yīng)用領(lǐng)域
ABB 通用機(jī)械傳動專為滿足廣泛的機(jī)械應(yīng)用需求而設(shè)計。對于食品飲料、物料輸送、紡織、印刷、橡膠與塑料以及木工機(jī)械行業(yè)應(yīng)用來說，該傳動為理想選擇。
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有單相，三相之分，電壓也有240v和380v之分。

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