需指出的是：IG 參數(shù)表中標(biāo)出的IC 是集電極zui大直流電流，但這個直流電流是有條件的，首先zui大結(jié)溫不能超過150℃，其次還受安全工作區(qū)（SOA）的限制，不同的工作電壓、脈沖寬度，允許通過的zui大電流不同。同時，各大廠商也給出了2 倍于額定值的脈沖電流，這個脈沖電流通常是指脈沖寬度為1ms 的單脈沖能通過的zui大通態(tài)電流值，即使可重復(fù)也需足夠長的時間。如果脈沖寬度限制在10μs 以內(nèi)，英飛凌NPT-IG 短路電流承受能力可高達(dá)10 倍的額定電流值。這種短路也不允許經(jīng)常發(fā)生，器件壽命周期內(nèi)總次數(shù)不能大于1000 次，兩次短路時間間隔需大于1s。但對于PT 型IG，這種短路總次數(shù)不能大于100 次，這是由于NPT-IG 過載能力、可靠性比PT 型高的原因。

infineon英飛凌IG模塊BSM600GA120DLC，可控硅模塊

但是目前的風(fēng)電變流器都是690V的，IG的耐壓也就足夠了。 IG和IGCT，誰是電力電子器件的發(fā)展方向？
目前學(xué)術(shù)界正在爭論，雖然IGCT出現(xiàn)晚，但至少在目前，還看不出它相對IG有什么優(yōu)勢。但也有可能隨著技術(shù)的發(fā)展，兩者并駕齊驅(qū)，或者都被某種新的器件代替。
與IGCT所對應(yīng)的是IEGT, IEGT也稱為壓裝式IG （PPI). IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達(dá)4KV以上的IG系列電力電子器件，通過采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。

IG是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙極型晶體管。
從功能上來說，IG就是一個電路開關(guān)，優(yōu)點(diǎn)就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強(qiáng)電上的。而且IG不用機(jī)械按鈕，它是由計算機(jī)控制的。

紅、黑兩表筆分別測柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性， 萬用表兩次所測的數(shù)值都為zui大，這時可判定IG模塊門極正常。如果有數(shù)字顯示，則門極性能變差，此模塊應(yīng)更換。當(dāng)正反向測試結(jié)果為零時，說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護(hù)門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。

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