IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開(kāi)關(guān)速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進(jìn)展，給電力電子成套裝置帶來(lái)了新的飛躍。IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，再與其門(mén)極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方式連接，結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點(diǎn)，在導(dǎo)通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開(kāi)關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。

infineon英飛凌IG模塊FZ1200R12KE3，可控硅模塊

半導(dǎo)體器件具有溫度敏感性，因此IG模塊標(biāo)稱(chēng)電流與溫度的關(guān)系比較大。隨著殼溫的上升IG模塊可利用的電流就會(huì)下降，英飛凌IG模塊是按殼溫TC=80℃來(lái)標(biāo)稱(chēng)其zui大允許通過(guò)的集電流極電流（IC）。對(duì)于西門(mén)子 英飛凌NPT-IG 芯片來(lái)說(shuō)，當(dāng)TC≤25℃時(shí)，這個(gè)電流值通常是一個(gè)恒定值，但隨著TC 的增加，這個(gè)可利用的電流值下降較快，有些公司是按TC＝25℃的電流值來(lái)標(biāo)稱(chēng)型號(hào)，這需用戶(hù)特別注意。

對(duì)于一個(gè)具體的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，在選擇英飛凌IG模塊時(shí)需考慮其在任何靜態(tài)、動(dòng)態(tài)、過(guò)載（如短路）的運(yùn)行情況下：
（i）： 器件耐壓;
（ii）： 在實(shí)際的冷卻條件下，電流的承受力;
（iii）：的開(kāi)關(guān)頻率;
（iv）：安全工作區(qū)（SOA）限制;
（v）： 運(yùn)行溫度限制。
一、器件耐壓的選擇
因?yàn)榇蠖鄶?shù)IG模塊工作在交流電網(wǎng)通過(guò)單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以通常IG模塊的工作電壓（600V、1200V、1700V）均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)?？紤]到過(guò)載，電網(wǎng)波動(dòng)，開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IG 器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收等設(shè)計(jì)比較好，就可以使用較低耐壓的IG模塊承受較高的直流母線電壓。

IG的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開(kāi)關(guān)損耗組成，不同的開(kāi)關(guān)頻率，開(kāi)關(guān)損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IG通態(tài)損耗的飽和壓降VCE（sat）和決定IG開(kāi)關(guān)損耗的開(kāi)關(guān)時(shí)間（ton，toff）又是一對(duì)矛盾，因此應(yīng)根據(jù)不同的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)選擇不同特征的IG。
在低頻如fk《10KHz時(shí)，通態(tài)損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IG系列。對(duì)于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IG；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開(kāi)關(guān)損耗降低20％左右，因而“KT3”將更有優(yōu)勢(shì)?！癒T3”由于開(kāi)關(guān)速度更快，對(duì)吸收與布線要求更高。

英飛凌可控硅，infineon英飛凌IG模塊FZ1200R12KE3

常見(jiàn)問(wèn)題：

問(wèn)題1。貴公司的優(yōu)勢(shì)是什么？

A1。我公司擁有專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)和專(zhuān)業(yè)的生產(chǎn)線。

問(wèn)題2。我為什么要選擇你們的產(chǎn)品？

A2。我們的產(chǎn)品質(zhì)優(yōu)價(jià)廉。

問(wèn)題3。你們公司還能提供其他什么好的服務(wù)嗎？

A3。是的，我們可以提供良好的售后服務(wù)和快速交貨。