半導(dǎo)體器件具有溫度敏感性，因此IG模塊標(biāo)稱電流與溫度的關(guān)系比較大。隨著殼溫的上升IG模塊可利用的電流就會(huì)下降，英飛凌IG模塊是按殼溫TC=80℃來標(biāo)稱其zui大允許通過的集電流極電流（IC）。對(duì)于西門子 英飛凌NPT-IG芯片來說，當(dāng)TC≤25℃時(shí)，這個(gè)電流值通常是一個(gè)恒定值，但隨著TC的增加，這個(gè)可利用的電流值下降較快，有些公司是按TC＝25℃的電流值來標(biāo)稱型號(hào)，這需用戶特別注意。

infineon英飛凌IG模塊FF150R12KE3G，可控硅晶閘管IG

需指出的是：IG參數(shù)表中標(biāo)出的IC是集電極zui大直流電流，但這個(gè)直流電流是有條件的，首先zui大結(jié)溫不能超過150℃，其次還受安全工作區(qū)（SOA）的限制，不同的工作電壓、脈沖寬度，允許通過的zui大電流不同。同時(shí)，各大廠商也給出了2倍于額定值的脈沖電流，這個(gè)脈沖電流通常是指脈沖寬度為1ms的單脈沖能通過的zui大通態(tài)電流值，即使可重復(fù)也需足夠長的時(shí)間。如果脈沖寬度限制在10μs以內(nèi)，英飛凌NPT-IG短路電流承受能力可高達(dá)10倍的額定電流值。這種短路也不允許經(jīng)常發(fā)生，器件壽命周期內(nèi)總次數(shù)不能大于1000次，兩次短路時(shí)間間隔需大于1s。但對(duì)于PT型IG，這種短路總次數(shù)不能大于100次，這是由于NPT-IG過載能力、可靠性比PT型高的原因。

IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動(dòng)作、高耐壓、有源柵驅(qū)動(dòng)智能化等特點(diǎn)，以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進(jìn)一步擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。另外，通過模塊封裝方式還可提供眾多派生產(chǎn)品，在大、中容量變換器應(yīng)用中被寄予厚。

英飛凌可控硅，infineon英飛凌IG模塊FF150R12KE3G

常見問題：

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