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FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 82A (Ta), 400A (Tc)
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 0.7 毫歐 @ 20A, 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 340nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 19180pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 8.3W (Ta), 300W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 TOLLA
封裝/外殼 8-PowerSFN