IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵和基之間加上正向電壓和負向電壓，柵電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。當選擇這些驅(qū)動電路時，必須基于以下的參數(shù)來進行：器件關(guān)斷偏置的要求、柵電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵- 發(fā)射阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進行觸發(fā)，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動電路提供的偏壓更高。



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