富士IGBT模塊采購 上海菲茲
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聯(lián)系人 張嵐颯

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發(fā)貨地 上海市
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
系列 IGBT系列
封裝 標(biāo)準(zhǔn)封裝
批號(hào) new
可控硅類型 硅(si)
種類 化合物半導(dǎo)體
商品介紹
IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET,但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時(shí)間,但關(guān)斷時(shí)間隨柵和發(fā)射并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3~4V,和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,飽和壓降隨柵電壓的增加而降低。
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科技創(chuàng)新、互惠互利、共同發(fā)展是我們的共同目標(biāo)!
聯(lián)系方式
公司名稱 上海菲茲電子科技有限公司
聯(lián)系賣家 張嵐颯 (QQ:1539653456)
電話 㜄㜇㜉-㜆㜉㜄㜄㜋㜉㜇㜆
手機(jī) 㜉㜊㜌㜉㜌㜌㜌㜄㜌㜃㜈
傳真 㜄㜇㜉-㜈㜉㜌㜊㜈㜌㜈㜃
地址 上海市