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（下文請(qǐng)忽略閱讀）萬(wàn)用表測(cè)三插上的地線孔。電阻測(cè)量：對(duì)地電阻10Ω以內(nèi)有接，無(wú)窮大∞沒(méi)接。電壓測(cè)量：交流500v檔，地線孔對(duì)火線孔有175-250v電壓，有接。沒(méi)電壓，沒(méi)接。如果沒(méi)有萬(wàn)用表就用25w家用白熾燈泡測(cè)試，接好燈座，留少許線纜，兩線剝出2cm金屬線，一線插火線孔，一線插地線孔，燈泡發(fā)光，有地線。不發(fā)光，沒(méi)地線。地線如果接到大地上，它和大地的電阻理論上是0歐姆，實(shí)際上可能會(huì)有幾歐姆，如果你用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)量鍍鋅自來(lái)水管或者金屬門窗和插座地端的電阻，在100歐姆以內(nèi)的，應(yīng)該都是接地的。MOS管型防反接保護(hù)電路利用了MOS管的開(kāi)關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開(kāi)來(lái)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，現(xiàn)在MOSFETRds（on）已經(jīng)能夠做到毫歐級(jí)，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。極性反接保護(hù)將保護(hù)用場(chǎng)效應(yīng)管與被保護(hù)電路串聯(lián)連接。保護(hù)用場(chǎng)效應(yīng)管為PMOS場(chǎng)效應(yīng)管或NMOS場(chǎng)效應(yīng)管。若為PMOS，其柵極和源極分別連接被保護(hù)電路的接地端和電源端，其漏極連接被保護(hù)電路中PMOS元件的襯底。
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