wafer切割成晶片 硅片 激光掏圓 生產(chǎn)周期快—華諾激光晶圓硅片切割
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品牌 華諾激光
可切割材質(zhì) 金屬、玻璃、陶瓷、藍寶石、硅片、復合材料等
最小切割線寬 15μm
切割速度 200mm/s
加工地址 北京、天津
加工幅面 300*500mm
激光設備 紅外、紫外、綠光
波長 納秒、皮秒
加工圖案 所見即所得
服務范圍 全國
商品介紹
wafer切割成晶片 硅片 激光掏圓 生產(chǎn)周期快—華諾激光晶圓硅片切割

激光屬于無接觸式加工,不對晶圓產(chǎn)生機械應力的作用,對晶圓損傷較小。由于激光在聚焦上的優(yōu)點,聚焦點可小到微米數(shù)量級,從而對晶圓的微處理更具有優(yōu)越性,可以進行小部件的加工;即使在不高的脈沖能量水平下,也能得到較高的能量密度,有效地進行材料加工。大多數(shù)材料吸收激光直接將硅材料氣化,形成溝道。從而實現(xiàn)切割的目的因為光斑點較小,最低限度的炭化影響。


華諾激光于2002年在北京成立,經(jīng)過十多年的發(fā)展成為智能制造及激光應用解決方案權(quán)威供應商,是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務為一體的高新技術(shù)企業(yè),下屬華諾恒宇光能科技有限公司和天津華諾普銳斯科技有限公司兩家公司。
激光隱形切割作為激光切割晶圓的一種方案,很好的避免了砂輪劃片存在的問題。如圖1所示,激光隱形切割是通過將脈沖激光的單個脈沖通過光學整形,讓其透過材料表面在材料內(nèi)部聚焦,在焦點區(qū)域能量密度較高,形成多光子吸收非線性吸收效應,使得材料改性形成裂紋。每一個激光脈沖等距作用,形成等距的損傷即可在材料內(nèi)部形成一個改質(zhì)層。在改質(zhì)層位置材料的分子鍵被破壞,材料的連接變的脆弱而易于分開。切割完成后通過拉伸承載膜的方式,將產(chǎn)品充分分開,并使得芯片與芯片之間產(chǎn)生間隙。這樣的加工方式避免了機械的直接接觸和純水的沖洗造成的破壞。目前激光隱形切割技術(shù)可應用于藍寶石/玻璃/硅以及多種化合物半導體晶圓。


1.激光切割、劃片是非機械式的,屬于非接觸式加工,可以避免出現(xiàn)芯片破碎和其他損壞現(xiàn)象。

2.激光切割、劃片采用的高光束質(zhì)量的光纖激光器對芯片的電性影響較小,可以提高更高的切割成品率。

3.激光切割速度為150mm/s。切割速度較快。

4.激光可以切割厚度較薄的晶圓,可以勝任不同厚度的晶圓劃片。

5.激光可以切割一些較為復雜的晶圓芯片,如六邊形管芯等。

6.激光切割不需要去離子水,不存在刀具磨損問題,可連續(xù)24小時作業(yè)。

7.激光具有很好的兼容性,對于不同的晶圓片,激光切割具有更好的兼容性和通用性。



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