強(qiáng)元芯電子（廣東）有限公司主營(yíng)：整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管

編輯：LX

ASEMI MCU 是以1T 8051 為核心的高性能8 位單片機(jī)，可運(yùn)行至20Mhz,具有4K/8K/16K字節(jié)內(nèi)建Flash 程序存儲(chǔ)器、256+1K 字節(jié)的SRAM、256 字節(jié)的EEPROM、4K ROM（ISP 應(yīng)用）等，以及GPIOs、UART、SPI、I2C、定時(shí)器、ADC、觸控按鍵（T.K.）、溫度傳感器（T.S.）、DAC、運(yùn)算放大器（OPA）、模擬比較器（COMP.）、PWM、PLL、看門狗、低壓復(fù)位和欠壓檢測(cè)等功能。

關(guān)鍵特性：車規(guī)級(jí)（-40°-125°C ）、低待機(jī)、強(qiáng)抗干擾、強(qiáng)保密（IC 卡級(jí)）。

主要應(yīng)用：智能家居、小家電、智能照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具、觸摸按鍵、汽車遙控、PD、QC、電池管理等。

PL3115B

PL3115B的主要特性：

內(nèi)置高集成度的功率MOSFET

+/-5%恒壓調(diào)節(jié)

 全電壓范圍內(nèi)精準(zhǔn)的恒流調(diào)節(jié)

去除光耦和次級(jí)恒流恒壓控制電路

內(nèi)置高精度恒流調(diào)節(jié)的線電壓補(bǔ)償

內(nèi)置變壓器電感補(bǔ)償

可編程的輸出線補(bǔ)償

可提高效率的自適應(yīng)多模式PWM/PFM控制

低啟動(dòng)電流

限流保護(hù)

內(nèi)置前沿消隱

過(guò)壓保護(hù)

良好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)

欠壓保護(hù)

PL3116B

PL3116B 為小功率的適配器/充電器應(yīng)用提供了很有效的解決方案，其新穎的恒流/恒壓控制使得系統(tǒng)不需要次級(jí)反饋電路，并能實(shí)現(xiàn)高精度的恒流/恒壓輸出，從而滿足更嚴(yán)格的能源損耗要求。

啟動(dòng)電流和工作電流：PL3116B 具有低的啟動(dòng)電流，因而可以采用大的啟動(dòng)電阻以及小的 VDD 電容以降低應(yīng)用中的功率損耗。

PL3116B 的工作電流小至 1mA，再加上特有的復(fù)合模式控制，從而提高了系統(tǒng)的效率，特別是系統(tǒng)處于輕載條件下。