PT6303S 3 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 

 概述 PT6303S 是一款專為保護(hù) 3 串鋰離子/聚合物電池的電 池保護(hù)芯片，可降低因電池過充，過放和/或過流條件而導(dǎo) 致的電池?fù)p壞或壽命縮短的風(fēng)險(xiǎn)。 小型的 SOP-8 封裝和最少的外部元件需求使芯片易于 整合至空間有限的電池包里。 ±25mV 的過充電檢測電壓精度保證電池安全的全容量 充電。±10mV 的電流檢測電壓精度保證放電過流準(zhǔn)確觸 發(fā)。 PT6303S 的低功耗設(shè)計(jì)讓電池包在存儲階段只消耗微 不足道的電流。 

應(yīng)用 ? 電動(dòng)工具 ? 吸塵器等家用設(shè)備 ? 移動(dòng)電源等儲能設(shè)備 特點(diǎn) ? 內(nèi)置高精度電壓檢測電路： ? 過充電檢測電壓： VCOV = 4.2V to 4.375V；25mV/step 精度：±25mV ? 過充電滯后電壓： VCOVR = VCOV - VΔCOV (0~300mV, 100mV/step) 精度：±25mV ? 過放電檢測電壓： VCUV=2.3V to 2.9V；0.2V/step 精度：±50mV ? 過放電滯后電壓： VCUVR = VCUV + VΔCUV (0.3V~0.9V, 0.2V/step) 精度：±80mV ? 內(nèi)置三段放電過電流檢測電路： ? 過電流 1 檢測電壓： VPDOC1= 50mV / 75mV / 100mV / 150mV 精度：±10mV ? 過電流 2 檢測電壓： VPDOC2= 2* VPDOC1  精度：±20mV ? 負(fù)載短路檢測電壓： VPSC=4* VPDOC1 精度：±50mV ? 低消耗電流： ? 工作狀態(tài)時(shí)：<20μa ? 休眠狀態(tài)時(shí)：<3μa ? 封裝：SOP-8PT6303S (SOP-8) VCC B3B2B1 CDR DDR LM VSS 300R 2.2uF 47~220nF 47~220nF 47~220nF 2K2K2K 47nF M D 10M 1K M C 1.2M 1K 1K PCK+ PCK- 1N4148 S D103 PT6303S (SOP-8) VCC B3B2B1 CDR DDR LM VSS 300R 2.2uF 47~220nF 47~220nF 47~220nF 2K2K2K 47nF M D 10M 1K 1K1K PCK+ PCKCHG- 1N4148 S D103 MC S S34 100K 1M 1M CHG+ xxxxxX Assembly Factory Code Lot Number PT6303S 3 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 

PT6303S_DS_Rev CH1.0 訂購信息 封裝 溫度范圍 訂購型號 包裝打印 產(chǎn)品打印 SOP-8 -40℃~85℃ PT6303SESOH-YY Tape and Reel  4000 units PT6303S YY xxxxxX Note1: YY 對應(yīng)表 1 中的參數(shù)選項(xiàng) Note2: 料號 過壓保護(hù) 閾值 [VCOV] 過壓保護(hù) 遲滯 [△VCOV] 欠壓保護(hù) 閾值 [VCUV] 欠壓保護(hù) 遲滯 [△VCUV] 一級放電 過流閾值 [VPDOC1] 二級放電 過流延遲 [TPDOC2] 放電過溫 保護(hù)閾值 [tDOT] 充電過溫 保護(hù)閾值 [tCOT] PT6303SESOH-AC 4.225 V 200mV 2.70 V 0.3 V 100 mV 100mS 70° C 50° C 表.1 可訂購料號的參數(shù)選項(xiàng) Note3: 其他參數(shù)選項(xiàng)的產(chǎn)品型號需求請聯(lián)系銷售。 典型應(yīng)用電路 圖 1. PT6303S 典型應(yīng)用電路 圖 2. PT6303S 充電 PMOS 的典型應(yīng)用電路PT6303S 123 876 CDR DDR VCC B1 VSS LM SOP-8 4 5 B3B2 PT6303S 3 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 華潤矽威科技(上海)有限公司 WWW.CRPOWTECH.COM 第 3 頁 PT6303S_DS_Rev CH1.0 管腳定義圖 圖 3. 管腳定義圖 管腳描述 引腳號碼 引腳名稱 引腳功能描述 1 VCC 芯片供電引腳 2 B3 第三節(jié)電芯正極輸入端 3 B2 第三節(jié)電芯負(fù)極輸入端，第二節(jié)電芯正極輸入端 4 B1 第二節(jié)電芯負(fù)極輸入端，第一節(jié)電芯正極輸入端 5 VSS 第一節(jié)電芯負(fù)極輸入端 6 LM 電流檢測電壓輸入、負(fù)載檢測和充電器檢測引腳 7 DDR 放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)輸出引腳 8 CDR 充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)輸出引腳PT6303S 3 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 華潤矽威科技(上海)有限公司 WWW.CRPOWTECH.COM 第 4 頁 PT6303S_DS_Rev CH1.0 極限參數(shù)(注 1) (無特別說明，Ta=25°C) SYMBOL ITEM Value UNIT Min. Typ. Max. VCC VCC pin voltage VSS-0.3 VSS+25 V VLM LM pin voltage VSS – 0.3 VCC + 0.3 V VCDR CDR pin voltage VCC - 25 VCC + 0.3 V VDDR DDR pin voltage VSS - 0.3 VCC + 0.3 V VB1-3 B1, B2, B3 pin voltage VSS-0.3 VCC+0.3 V VCEL2, VCEL3 VB2-VB1 , VB3-VB2 voltage -5 VCC-VSS V PD Power dissipation 0.15 W TSTG Storage temperature -55 125 ℃ 注 1：極限值是指超出該工作范圍 推薦工作范圍 SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Min. Typ. Max. VCC Supply Voltage 3.2 15 V VCEL1-3 Cell1, Cell2, Cell3 input voltage 2.0 4.5 V TOPT Operating temperature -40 85 ℃PT6303S 3 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 華潤矽威科技(上海)有限公司 WWW.CRPOWTECH.COM 第 5 頁 PT6303S_DS_Rev CH1.0 電氣參數(shù) (無特別說明，Ta=25°C，VCELL=3.6V) 符號 參數(shù) 條件 最小 典型  單位 VCC 工作電壓 VCC-GND 3.2 15 V VPOR 啟動(dòng)電壓 VCC上升沿 3.4 3.8 4.2 V △VPOR 關(guān)斷遲滯電壓 VCC下降沿，VPOR-DW= VPOR-△VPOR 0.2 V IDD 工作電流 無保護(hù)事件，CDR懸空 15 μ A ISTBY 待機(jī)電流 過放，無充電器 2.5 μ A IB(n),n=1,3 B1, B2, B3 引腳流入電流 0 μ A 電池電壓檢測參數(shù) TSCN 電池電壓檢測周期 0.35 0.5 0.65 S VCOV 電芯過充電壓閾值(NOTE2)： 4.2~4.375可選，25mV/step 檢測電池電壓上升，無保護(hù)事件 VCOV -25 VCOV VCOV +25 mV VCOVR 電芯過充恢復(fù)電壓： VCOVR =VCOV-VΔCOV， VΔCOV: 0~300mV，100mV/step 觸發(fā)COV事件后檢測電池電壓下降 VCOVR -25 VCOVR VCOVR +25 mV TCOV 電芯過充延遲 任何電芯電壓滿足VCELL> VCOV 2*TSCN TCOVR 電芯過充恢復(fù)延遲 所有電芯電壓滿足VCELLCOVR 2*TSCN VCUV 電芯過放電壓閾值： 2.3V~2.9V selectable，0.2V/step 檢測電池電壓下降，無保護(hù)事件 VCUV -50 VCUV VCUV +50 mV VCUVR 電芯過放恢復(fù)電壓： VCUVR = VCUV+ VΔCUV， VΔCUV: 0.3V~0.9V 觸發(fā)CUV事件后檢測電池電壓上升 VCUVR -80 VCUVR VCUVR +80 mV TCUV 電芯過放延遲 任何電芯電壓滿足 VCELLCUV ( TCUV= TCOV) 2*TSCN TCUVR 電芯過放恢復(fù)延遲 所 有 電 芯 電 壓 滿 足 VCELL> VCUVR  ( TCUVR= TCOVR) 2*TSCN 電流檢測參數(shù) VPDOC1 過流1檢測閾值： 50mV，75mV，100mV，150mV可選 檢測LM引腳電壓上升 VPDOC1 -10 VPDOC1 VPDOC1 +10 mV TPDOC1 過流1觸發(fā)延遲 0.7 1.0 1.3 S VPDOC2 過流2檢測閾值： VPDOC2=2* VPDOC1 檢測LM引腳電壓上升 VPDOC2 -20 VPDOC2 VPDOC2 +20 mV TPDOC2 過流2觸發(fā)延遲： 100mS，200mS，300mS，400mS可選 0.7  *TPDOC2 TPDOC2 1.3  *TPDOC2 mS VPSC 短路檢測閾值： VPSC=4* VPDOC1 檢測LM引腳電壓上升 VPSC -50 VPSC VPSC +50 mV TPSC 短路觸發(fā)延遲 200 250 300 μS 驅(qū)動(dòng)參數(shù) ICDR 充電MOSFET驅(qū)動(dòng)電流 充電MOSFET打開 6 μA 充電MOSFET關(guān)閉 0 μA VDDR 放電MOSFET驅(qū)動(dòng)電流 放電MOSFET打開 VCC 放電MOSFET關(guān)閉 VSS IDDRH 放電MOSFET驅(qū)動(dòng)電流能力 VDDR=VCC-3V 3 mA IDDRL 放電MOSFET吸收電流能力 VDDR=VSS+ 3V 5 mA 負(fù)載檢測參數(shù) ILM LM引腳吸收電流能力 VLM=5V 70 μAOV Detection UV Detection Delay-Time Control Charge/Dis-Charge  Control PDOC1 detection Cell Selection  Control B3B2B1 VCC VSS LM UV OV Control PDOC1 LD-Open/ CHGIN Load or  Charger monitoring Control PDOC2 detection PSC detection PDOC2 PSC DFET Driver CFET Driver CDR DDR PT6303S 3 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 華潤矽威科技(上海)有限公司 WWW.CRPOWTECH.COM 第 6 頁 PT6303S_DS_Rev CH1.0 簡化模塊圖 圖 4. 內(nèi)部模塊簡化圖 功能描述 1. 上電過程 當(dāng)電源接入，VCC 上升，當(dāng) VCCPOR，充放電 MOSFET 默認(rèn)關(guān)閉。當(dāng) VCC≥VPOR，PT6303S 啟動(dòng)并檢測 電池電壓。如果沒有 COV 事件，充電 MOSFET 打開。如 果沒有 CUV 事件，且負(fù)載斷開或者充電器插入，放電 MOSFET 打開，PT6303S 進(jìn)入正常工作狀態(tài)。 2. 放電過電流保護(hù) PT6303S 有三段放電過電流保護(hù)功能。 PDOC1：當(dāng) VLM≥VPDOC1 且延遲時(shí)間 TD≥TPDOC1， PDOC1 觸發(fā)，放電 MOSFET 關(guān)閉。 PDOC2：當(dāng) VLM≥VPDOC2 且延遲時(shí)間 TD≥TPDOC2， PDOC2 觸發(fā)，放電 MOSFET 關(guān)閉。 PSC：當(dāng) VLM≥VPSC且延遲時(shí)間 TD≥TPSC，PSC 觸發(fā)， 放電 MOSFET 關(guān)閉 PDOC1，PDOC2 和 PSC 只有在負(fù)載移除時(shí)才會解 除。 3. 過充電保護(hù) PT6303S 周期性檢測電芯電壓，一旦任何一節(jié)電池電 壓連續(xù)兩次超過 VCOV，PT6303S 進(jìn)入過充電保護(hù)狀態(tài) (COV)，充電 MOSFET 關(guān)閉。在 COV 狀態(tài)，PT6303S 一 旦檢測到放電電流，充電 MOSFET 打開。 如果芯片檢測到每節(jié)電池的電壓連續(xù)兩次低于 VCOVR， PT6303S 退出過充電狀態(tài)，打開充電 MOSFET。 4. 過放電保護(hù) PT6303S 一旦檢測到任何一節(jié)電池電壓連續(xù)兩次低于 VCUV，PT6303S 就進(jìn)入過放電保護(hù)狀態(tài) (CUV)，放電 MOSFET 關(guān)閉，同時(shí)打開充電器檢測功能。 如果沒有其他保護(hù)事件，且超過 8s 無充電器插入， PT6303S 進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)，芯片功耗降低至 3μA 以下。一旦 檢測到充電器插入，芯片退出待機(jī)狀態(tài)。 如 果 芯片檢測到 每節(jié)電池的電壓 連 續(xù) 兩 次 高 于 VCUVR，PT6303S 退出過放電狀態(tài)。如果芯片檢測到負(fù)載 移除，且無其他放電保護(hù)事件，則打開放電 MOSFET。。 5. 關(guān)斷狀態(tài) 一旦 VCC 的電壓降低至 VPOR-DW 以下，芯片進(jìn)入關(guān)斷 模式，充放電 MOSFETs 全部關(guān)閉，芯片功耗降低至 1μA 以下。 VLMTH 負(fù)載開路檢測閾值 0.75 VPT6303S 3 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 華潤矽威科技(上海)有限公司 WWW.CRPOWTECH.COM 第 7 頁 PT6303S_DS_Rev CH1.0 參數(shù)選項(xiàng)表 項(xiàng)目 參數(shù) 單位 選項(xiàng) 1 VCOV (過壓保護(hù)閾值) V 4.200 4.225 4.250 4.275 4.300 4.325 4.350 4.375 選擇的參數(shù)填入 X  2 ΔVCOVR (過壓保護(hù)遲滯) mV 0 100 200 300 選擇的參數(shù)填入 X  3 VCUV (欠壓保護(hù)閾值) V 2.3 2.5 2.7 2.9 選擇的參數(shù)填入 X  4 VCUVR (欠壓保護(hù)遲滯) mV 0.3 0.5 0.7 0.9 選擇的參數(shù)填入 X  5 VPDOC1 (一級放電過流保護(hù)閾值) mV 50 75 100 150 選擇的參數(shù)填入 X 6 TPDOC2 (二級放電過流保護(hù)延遲) mS 100 200 300 400 選擇的參數(shù)填入 X PT6303S 3 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 華潤矽威科技(上海)有限公司 WWW.CRPOWTECH.COM 第 8 頁 PT6303S_DS_Rev CH1.0 封裝信息 SOP-8 Symbol Millimeters Inches Min Max Min Max A 1.350 1.750 0.053 0.069  A1 0.100 0.250 0.004 0.010  A2 1.250 1.650 0.049 0.065  b 0.330 0.510 0.013 0.020  c 0.170 0.250 0.007 0.010  D 4.700 5.100 0.185 0.201  E 3.800 4.000 0.150 0.157  E1 5.800 6.200 0.228 0.244  e 1.270(BSC) 0.050(BSC) L 0.400 1.270 0.016 0.05 θ 0° 8° 0° 8°PT6303S 3 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片