PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片 

概述

PT6007B 是一款專為保護 5～7 串鋰離子/聚合物電 池、磷酸鐵鋰電池或鈦酸鋰電池的電池保護芯片，可降低 因電池過充，過放，過溫和/或過流條件而導致的電池損壞 或壽命縮短的風險。 ±25mV 的過充電檢測電壓精度保證電池安全的全容量 充電。±10mV 的電流檢測電壓精度保證放電過流準確觸 發(fā)。 PT6007B 的充電過溫保護閾值和放電過溫保護閾值可 通過外部電阻獨立設置。 PT6007B 可以直接驅動外部 N 型的充電 MOSFET 和 N 型放電 MOSFET，并保留特殊的 CCTL 和 DCTL 引腳， 讓客戶可根據(jù)應用控制充放電 MOSFETs。 PT6007B 支持多芯片級聯(lián)以滿足更多電池串聯(lián)的應 用。 PT6007B 的低功耗設計讓電池包在存儲階段只消耗微 不足道的電流。

應用 

? 電動自行車、電動滑板車 ? 電動工具，電動園林工具 ? 備用電池系統(tǒng) ? 掃地機等

特點 

? 內置高精度電壓檢測電路： ? 過充電檢測電壓： VCOV = 4.25V/3.85V/3.65V/2.80V 精度：±25mV ? 過充電恢復電壓： VCOVR = 4.15V/3.65V/3.55V/2.5V ? 過放電檢測電壓： VCUV = 2.80V/2.35V/2.00V/1.20V 精度：±80mV ? 過放電恢復電壓： VCUVR = 3.00V/2.55V/2.50V/1.50V ? 電池均衡啟動電壓： VBL = VCOVR or △VBL =50mV/75mV/100mV 精度：±25mV ? 內置三段放電過電流檢測電路： ? 放電過電流 1 檢測電壓： VDOC1= 50mV/100mV；精度：±10mV ? 放電過電流 2 檢測電壓： VDOC2= 2* VDOC1；精度：±20mV ? 負載短路檢測電壓： VSC= 5* VDOC1；精度：±50mV ? 內置充電過電流檢測電路： ? 充電過電流檢測電壓： VCOC= 20mV/40mV/60mV/屏蔽；精度：±30% ? 內置獨立的充電過溫和放電過溫保護，可通過外部電阻 獨立設置充電過溫保護閾值和放電過溫保護閾值 ? 內置充電低溫保護 ? 延遲時間 TDOC1/TDOC2可通過外部引腳配置 ? 內置電池被動均衡和斷線檢測功能 ? 支持多芯片級聯(lián)應用 ? 電子鎖功能 ? 關斷模式和休眠模式的外部配置引腳 ? 支持磷酸鐵鋰和鈦酸鋰電池應用 ? 低消耗電流： ? 正常工作狀態(tài)：<25μa ? 休眠模式：<2μa ? 關斷模式：<2μa ? 封裝：SSOP-24xxxxxX Assembly Factory Code Lot Number

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片 

訂購信息 封裝 溫度范圍 訂購型號 包裝打印 產(chǎn)品打印 SSOP-24 -40℃~85℃ PT6007BESSX-YY Tape and Reel 2500 units PT6007B YY xxxxxX Note1: YY 對應表 1 中的參數(shù)選項 Note2: Part Number VCOV VCOVR VCUV VCUVR VDOC1 VCOC VBL PT6007BESSX-AA 4.250V 4.150V 2.80V 3.00V 100mV 20mV VCOVR PT6007BESSX-BA 3.850V 3.650V 2.35V 2.55V 100mV 40mV VCOVR PT6007BESSX-CA 3.650V 3.550V 2.00V 2.50V 100mV 40mV VCOVR PT6007BESSX-DA 2.800V 2.500V 1.20V 1.50V 100mV 60mV VCOVR 表.1 可訂購料號的參數(shù)選項 Note3: 其他參數(shù)選項的產(chǎn)品型號需求請聯(lián)系銷售。 參數(shù)選項表 Item Parameter Units Options 1 VCOV V 4.250 3.850 3.650 2.800 VCOVR V 4.150 3.650 3.550 2.500 VCUV V 2.800 2.350 2.000 1.200 VCUVR V 3.000 2.550 2.500 1.500 Selection filled with X 2 VDOC1 mV 50 100 Selection filled with X 3 VCOC mV 20 40 60 Disable Selection filled with X 4 △VBL mV 50 75 100 ΔVCOVR Selection filled with XCell7 DFET C S VREF SEL SOCT BCH VCC V C7 V C6 V C5 V C4 12345678 18 19 20 21 22 23 24 9 10 V C3 17 V C2 16 V C1 15 11 14 PT6007B (SSOP-24) CDRV CCTL DCTL PCKDDRV V M E N_N VTD VTC VSS CFET 200R 1N4148 47~470nF 1K 1K 1K 1K 1K 1K 1K Cell6 Cell5 Cell4 Cell3 Cell2 Cell1 47~470nF 47~470nF 47~470nF 47~470nF 47~470nF 4.7uF 47~470nF 103AT R S 100R 5.1K 10K 510K 1.2M PCK+ 1K 20K 20K 47nF 1uF S W 13 BCL 12 LSW 1N4148 1K 1K1K 

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片 典型應用電路 圖 1. 7 串電池的典型應用電路 (帶電子鎖功能)  11 14 PT6007B (SSOP-24) CDRV CCTL DCTL DDRV V M E N_N VTD VTC VSS 200R 1N4148 47~470nF 1K 1K 1K 1K 1K 1K 1K Cell13 Cell12 Cell11 Cell10 Cell9 Cell8 47~470nF 47~470nF 47~470nF 47~470nF 47~470nF 4.7uF 47~470nF 103A T 5.1M 5.1M PCK+ 20K 20K 1uF S W 13 BCL 12 LSW 1K 1K1K Cell7 DFET C S VREF SEL SOCT BCH VCC V C7 V C6 V C5 V C4 12345678 18 19 20 21 22 23 24 9 10 V C3 17 V C2 16 V C1 15 11 14 PT6007B (SSOP-24) CDRV CCTL DCTL PCKDDRV V M E N_N VTD VTC VSS CFET 200R 1N4148 47~470nF 1K 1K 1K 1K 1K 1K 1K Cell6 Cell5 Cell4 Cell3 Cell2 Cell1 47~470nF 47~470nF 47~470nF 47~470nF 47~470nF 4.7uF 47~470nF 103A T R S 100R 5.1K 10K 510K 1.2M 1K 20K 20K 47nF 1uF S W 13 BCL 12 LSW 1N4148 10M 1M PMOS 10K PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片 圖 2. 14 串電池的典型應用電路 (帶電子鎖功能)  PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB)PT6007B (SSOP-24) CS VSS VTC VC1 VM VC2 BCH CDRV 24 22 20 1 23 4567 18 VC3 3 VC4 2 VC7 DDRV 21 19 CCTL LSW SOCT SEL 17 15 13 EN_N 16 14 BCL VTD 9 10 11 12 VREF 8 DCTL VC5 VC6 VCC

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片 管腳定義圖 圖 3. 管腳定義圖 華潤矽威科技(上海)有限公司  PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB)

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片 華潤矽威科技(上海)有限公司  PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 管腳描述 引腳號碼 引腳名稱 引腳功能描述 1 DCTL 放電管外部控制輸入管腳 2 CCTL 充電管外部控制輸入管腳 3 CDRV 充電管驅動輸出管腳 4 VM 負載檢測和充電器檢測輸入管腳 5 DDRV 放電管驅動輸出管腳 6 CS 電流感應電壓輸入管腳 7 VSS 芯片地 8 VREF 內部基準電壓和 LDO 輸出 9 SEL 電芯節(jié)數(shù)選擇管腳（接地，懸空，上拉到 VREF） 10 SOCT DOC1 和 DOC2 延遲時間設定管腳 11 EN_N 芯片休眠控制管腳（懸空：關斷；接地：正常工作；接 VREF：允許進入 休眠） 12 LSW 低壓開關（懸空：放電管強制關閉；接地：若無 CUV，DOT，SC 等放電 保護事件，放電管打開） 13 BCL 均衡級聯(lián)控制低端管腳 14 VTD 放電過溫閾值設置管腳 15 VTC 充電過溫閾值設置管腳 16 VC1 電芯電壓監(jiān)測輸入端 1 17 VC2 電芯電壓監(jiān)測輸入端 2 18 VC3 電芯電壓監(jiān)測輸入端 3 19 VC4 電芯電壓監(jiān)測輸入端 4 20 VC5 電芯電壓監(jiān)測輸入端 5 21 VC6 電芯電壓監(jiān)測輸入端 6 22 VC7 電芯電壓監(jiān)測輸入端 7 23 VCC 芯片電源 24 BCH 均衡級聯(lián)控制高端管腳VC7 VTC VTD CDRV 電池電壓檢測 和均衡控制 充電過壓檢測 放電欠壓檢測 控制邏輯 延遲時間控制 充放電控制 放電過流1檢測 電池節(jié)數(shù)和均衡控制 VSS CS OW Control DOC1 負載開路和充 電器插入 負載開路檢測 和充電器檢測 外部溫度檢測控制 DOT CUT 溫度檢測功能 Control Control 電流檢測功能 DOC2 SC 充電FET驅動 VC6 VC2 VC1 EN_N LSW COT CCTL BCH SEL FET驅動控制 和電平轉移 DCTL BCL VM 放電FET驅動 DDRV 斷線檢測 電池均衡檢測 CUV COV BL 電池均衡控制 和電平轉移 放電過流2檢測 短路檢測 充電過流檢測 充放電狀態(tài)檢測 放電過溫檢測 充電過溫檢測 充電低溫檢測 COC Control VCC LDO VREF SOCT 時鐘和 啟動 延時設置 

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片 簡化模塊圖 圖 4. 內部模塊簡化圖 華潤矽威科技(上海)有限公司 PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片  PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 極限參數(shù)(注 1) (無特別說明，Ta=25°C) 參數(shù) 符號 對應引腳 參數(shù)范圍 單位 VCC引腳輸入電壓范圍 VCC VCC VSS-0.3 to VSS+60 V 低壓引腳電壓范圍 VIN_LV1 CS VSS-0.3 to VSS+5.5 V 低壓引腳電壓范圍 VIN_LV2 LSW, BCL, EN_N, SEL, SOCT, VTD, VTC VSS-0.3 to VREF+0.3 V 高壓引腳電壓范圍 VIN_HV1 DCTL, CCTL, BCH VSS-0.3 to VSS+60 V 高壓引腳電壓范圍 VIN_HV2 DCTL, CCTL, BCH VCC-40 to VCC+40 V VM 引腳電壓范圍 VVM VM VSS-1.0 to VCC+0.3 V 電池輸入引腳電壓范圍 VC(n) to VC(n-1), n=2 to 7; VC1 to VSS VCELL (VC7, VC6), (VC6,VC5), (VC5,VC4),  (VC4,VC3), (VC3,VC2), (VC2, VC1),(VC1,  VSS) VSS-0.3 to VSS+60 V 電池輸入引腳電壓范圍 VC(n), n=1 to 7; VC(n) VC(n) VSS-0.3 to VSS+60 V CDRV 引腳電壓范圍 VCDRV CDRV VCC-60 to VSS+18 V DDRV 引腳電壓范圍 VDDRV DDRV VSS-0.3 to VSS+18 V ESD (HBM) (注 2) （不包括 CDRV 和 VM 引腳） ±2 KV 工作結溫范圍 TA -40 to +85 °C 存儲溫度范圍 TSTG -40 to +125 °C PN 結到環(huán)境熱阻 (SSOP-24) 130 °C/W 注 1：極限值是指超出該工作范圍 注 2：HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片  PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 電氣參數(shù) (無特別說明，Ta=25°C，VCELL=3.6V) 參數(shù) 符號 條件 最小值 典型值 值 單位 VCC 供電 輸入電壓工作范圍 VCC 5.0 60 V 輸入電流 IVCC_NOR 正常狀態(tài)，VCELL=3.6V，CDRV 懸 空，EN_N=VSS 20 25 μ A IVCC_SLP 休眠模式，VCELL=1.8V，無充電 器，EN_N=VREF 2.0 μ A IVCC_PD 關斷模式，VCELL=3.6V，EN_N 懸空 2.0 μ A 啟動電壓 VPOR VCC 上升 6.5 V VPOR_HY VCC 下降 4.4 V LDO 輸出電壓 VVREF_NOR 正常狀態(tài)，VCELL=3.6V， EN_N=VSS 或 VREF，無負載 4.5 4.75 5.0 V VVREF_PD 關斷模式，VCELL=3.6V， EN_N 懸 空，無負載 3.6 4.0 4.4 V VVREF_SLP 休眠模式，VCELL=1.8V， EN_N=  VREF，無充電器，無負載 0 V LDO 輸出電流能力 IVFEF_NOR 正常狀態(tài)，VCELL=3.6V， EN_N=VSS 或 VREF 4.0 mA IVREF_PD 關斷模式，VCELL=3.6V， EN_N 懸空 1.0 mA 放電 MOSFET 驅動電源 VVREGH VCC>VVREGH+1.5V 13 15 17 V VCCVREGH+1.5V VCC-1.5 V 電壓保護參數(shù) 電池電壓檢測周期 TDET 0.4 0.5 0.6 s 過充電保護電壓： 4.25V/3.85V/3.65V/2.80V 可選； VCOV 檢測電池電壓上升 VCOV-25 VCOV VCOV+25 mV 過充電恢復電壓： VCOVR =VCOV-ΔVCOV； VCOVR：4.15V/3.65V/3.55V/2.5V可選 VCOVR 檢測電池電壓下降 VCOVR-25 VCOVR VCOVR+25 mV 過充電保護延遲 TCOV 任意一節(jié)電池電壓高于 VCOV 1 2 TDET 過充電恢復延遲 TCOVR 所有電池電壓低于 VCOVR 1 2 TDET 過放電保護電壓： 2.8V/2.35V/2.0V/1.2V 可選； VCUV 檢測電池電壓下降 VCUV-80 VCUV VCUV+80 mV 過放電恢復電壓： VCUVR= VCUV+ ΔV CUV； VCUVR：3.0V/2.55V/2.5V/1.5V可選 VCUVR 檢測電池電壓上升 VCUVR-80 VCUVR VCUVR+80 mV 過放電保護延遲： 4TDET可選 TCUV 3 4 TDET 過放電恢復延遲( TCUVR= TCOVR) TCUVR 1 2 TDET 進入休眠延遲時間 TCUV_SLP 8 TCUV 電池均衡檢測電壓： VBL= VCOV- △VBL or VBL=VCOVR △V BL: 50/75/100mV 可選 VBL 檢測電池電壓上升 VBL-25 VBL VBL+25 mV 電池均衡啟動延遲 TBL 任意一節(jié)電池電壓高于 VBL 0 1 TDET 電流保護參數(shù) 放電過電流 1 保護電壓： 50mV/100mV 可選 VDOC1 VDOC1-10 VDOC1 VDOC1+10 mV 放電過電流 2 保護電壓： VDOC2=2* VDOC1 VDOC2 VDOC2-20 VDOC2 VDOC2+20 mV 負載短路保護電壓 VPSC=5* VDOC1 VPSC VPSC-50 VPSC VPSC+50 mV 充電過電流保護電壓： VCOC 0.7 1.0 1.3 VCOC

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片 

 PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 20mV/40mV/60mV 可選 放電過電流 1 保護延遲時間： 1s/2s/4s 可選 TDOC1 0.7 1.0 1.3 TDOC1 放電過電流 2 保護延遲時間： 100ms/200ms/400ms 可選 TDOC2 0.7 1.0 1.3 TDOC2 負載短路保護延遲時間 TPSC 內部固定延遲 150 250 350 μS 充電過流保護延遲時間 TCOC 7 10 13 ms 充電過流恢復延遲時間 TCOCR 0.7 1 1.3 s 溫度保護參數(shù) 放電過溫保護閾值 tDOT 由連接到 VTD 引腳的電阻設定 tDOT-5 tDOT tDOT+5 ° C 放電過溫恢復遲滯 tΔDOT 10 ° C 放電過溫恢復閾值 tDOTR tDOTR = tDOT –tΔDOT tDOTR-5 tDOTR tDOTR+5 ° C 放電過溫保護延遲 TDOT 1 2 TDET 放電過溫恢復延遲 TDOTR 1 2 TDET 充電過溫保護閾值 tCOT 由連接到 VTC 引腳的電阻設定 tCOT-5 tCOT tCOT+5 ° C 充電過溫恢復遲滯 tΔCOT 5 ° C 充電過溫恢復閾值 tCOTR tCOTR = tCOT –tΔCOT tCOTR-5 tCOTR tCOTR+5 ° C 充電過溫保護延遲 TCOT 1 2 TDET 充電過溫恢復延遲 TCOTR 1 2 TDET 充電低溫保護閾值 tCUT 由連接到 VTC 引腳的電阻設定 tCUT-5 tCUT tCUT+5 ° C 充電低溫恢復遲滯 tΔCUT 5 ° C 充電低溫恢復閾值 tCUTR tCUTR = tCUT + tΔCUT tCUTR-5 tCUTR tCUTR+5 ° C 充電低溫保護閾值 TCUT 1 2 TDET 充電低溫恢復遲滯 TCUTR 1 2 TDET SEL, EN_N, DCTL, CCTL, BCH, BCL, SOCT, LSW 輸入特性 SEL 輸入邏輯高電平閾值 VSEL_IH 連接 VREF VREF-0.7 VREF+0.3 V SEL 輸入中間態(tài)電平閾值 VSEL_IM 懸空 1.5 VREF-1.0 V SEL 輸入邏輯低電平閾值 VSEL_IL 連接 VSS 0.7 V SOCT 輸入邏輯高電平閾值 VST_IH 連接 VREF VREF-0.7 VREF+0.3 V SOCT 輸入中間態(tài)電平閾值 VST_IM 懸空 1.5 VREF-1.0 V SOCT 輸入邏輯低電平閾值 VST_IL 連接 VSS 0.7 V EN_N 輸入邏輯高電平閾值 VEN_IH 連接 VREF VREF-0.7 VREF+0.3 V EN_N 輸入中間態(tài)電平閾值 VEN_IM 懸空 1.5 VREF-1.0 V EN_N 輸入邏輯低電平閾值 VEN_IL 連接 VSS 0.7 V DCTL/CCTL 輸入邏輯高電平閾值 VCTL_IH1 連接 VCC，打開 MOSFET 驅動 VCC-0.1 V DCTL/CCTL 輸入邏輯低電平閾值 VCTL_IL 連接 VSS，關閉 MOSFET 驅動 VCC-1.0 V BCH 輸入邏輯高電平閾值 VBCH_IH 連接 VCC VCC-0.1 V BCH 輸入邏輯低電平閾值 VBCH_IL 懸空 VCC-1.0 V BCL 輸入邏輯高電平閾值 VBCL_IH 停止電池均衡 VREF-0.7 VREF+0.3 V BCL 輸入邏輯低電平閾值 VBCL_IL 允許電池均衡 0.7 V LSW 輸入邏輯高電平閾值 VLSW_IH 連接 VSS，打開放電 MOSFET 驅動 0.7 V LSW 輸入邏輯低電平閾值 VLSW_IL 懸空，關閉放電 MOSFET 驅動 VREF-0.7 VREF+0.3 V BCL, CDRV, DDRV, LSW 輸出特性 CDRV 輸出電流 ICDR_OH 無充電保護事件，VCELL=3.6V， VCDRV=VSS+0.5V 12 μA CDRV 吸收電流 RCDR_OL 充電保護事件發(fā)生，VCSDSG Hi-Z CDRV&DDRV 輸出電壓 VDDR_OH VCDR_OH 無充放電保護事情 VVREGH VDDR_OL 放電保護事件發(fā)生 0.4 V BCL 輸出電流 IBCL_OH VBCL=VSS+0.5V，電池均衡完成 2 μA

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片 PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 電池均衡等效電阻 RBL 電池均衡啟動 300 Ω VM VM 引腳吸收電流能力 IVM_LD 負載開路檢測啟動 100 μ A VM 負載開路檢測閾值 VLD_TH 負載開路檢測啟動，VM 電壓下降 1.5 2.0 2.5 V VM 引腳輸出電流能力 IVM_CHG 充電器檢測啟動 20 μA VM 充電器檢測閾值 VCHG_TH 充電器檢測啟動，VM 電壓下降 0.4 0.5 0.6 V 功能描述 1. 啟動 從 VCC 上電啟動 當電源接入，充放電 MOSFET 默認關閉；如果 EN_N 懸空，芯片進入關斷模式；如果 EN_N 連接 VSS 或 VREF，芯 片啟動電池電壓檢測功能。 如果電池電壓沒有過壓，且 CCTL 為邏輯高電平，芯片打開充電 MOSFET 驅動；如果電池電壓沒有欠壓，且 DCTL 和 LSW 為邏輯高電平，芯片啟動負載開路檢測。 當芯片檢測到負載移除，或者 LSW 恢復信號，放電 MOSFET 驅動打開，PT6007B 進入正常工作狀態(tài)。 從關斷模式啟動 PT6007B 在關斷模式下檢測到 EN_N 接 VSS，芯片退出關斷模式，恢復至芯片進入關斷模式之前的狀態(tài)。 放電 MOSFET 驅動從關斷模式恢復，并再次打開之前需要檢測負載移除。 從休眠模式啟動 PT6007B 在休眠模式下檢測到充電器插入，芯片退出休眠模式，恢復至芯片進入休眠模式之前的狀態(tài)。 放電 MOSFET 驅動從休眠模式恢復，并再次打開之前需要檢測負載移除。 2. 放電過電流保護 PT6007B 有三段放電過電流保護功能。 DOC1：當 VCS≥VDOC1且延遲時間 TD≥TDOC1，DOC1 觸發(fā)，放電 MOSFET 驅動關閉。 DOC2：當 VCS≥VDOC2且延遲時間 TD≥TDOC2，DOC2 觸發(fā)，放電 MOSFET 驅動關閉。 PSC：當 VCS≥VPSC且延遲時間 TD≥TPSC，PSC 觸發(fā)，放電 MOSFET 驅動關閉 在放電過電流保護狀態(tài)，若 VCSDSG，芯片啟動負載開路檢測功能。若芯片檢測到負載移除，放電 MOSFET 驅動打 開。 DOC1 和 DOC2 可通過 LSW 解除。PSC 不可通過 LSW 解除。 3. 充電過電流保護 PT6007B 集成充電過電流保護功能。 COC：在充電狀態(tài)下，若-VCS≥VCOC且延遲時間 TD≥TCOC，COC 觸發(fā)，充電 MOSFET 驅動關閉。此時，充電過電流檢 測功能不會關閉。芯片若檢測到 CS 電壓在充電 MOSFET 驅動關閉并持續(xù) TCOC后沒有恢復，則強制關閉放電 MOSFET 驅 動，禁止電池放電。 在充電過電流保護狀態(tài)，COC 需要延遲時間恢復（恢復延遲為 TCOCR）或放電恢復。充電過電流保護狀態(tài)解除后，充 電 MOSFET 驅動打開。 4. 溫度保護 在正常工作條件下，PT6007B 周期性（1/2TDET）交替檢測充電過溫保護和充電低溫保護。 COT：在充電狀態(tài)(VCSDSG)，PT6007B 一旦連續(xù)檢測到電池組的溫度高于充電過溫保護閾值 tCOT 兩次，充電過溫保 護 COT 觸發(fā)，充電 MOSFET 驅動關閉。 COT 恢復：當以下條件之一發(fā)生時，充電過溫保護狀態(tài)就會被解除。 a) 連續(xù)檢測到電池組溫度低于充電過溫保護恢復閾值 tCOTR及以下兩次（或低于 tCUT及以下一次）； b) 檢測到放電電流。 DOT：當 PT6007B 檢測到電池組溫度高于 tCOT，芯片在下個充電低溫檢測周期關閉充電低溫檢測，啟動放電過溫檢測 功能。芯片一旦連續(xù)檢測到電池組的溫度高于放電過溫保護閾值 tDOT 兩次，放電過溫保護 DOT 觸發(fā)，充放電 MOSFET 驅 動同時關閉。R1 103AT R2 VTD VTC VSS Current sense resistor Discharge current direction 

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片 PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) DOT 恢復：當以下條件發(fā)生時，放電過溫保護狀態(tài)將被解除。 a) 連續(xù)檢測到電池組溫度降低至放電過溫恢復閾值 tDOTR及以下兩次（或低于 tCOT及以下一次）。 當 DOT 恢復時，負載開路檢測功能開啟，充放電 MOSFET 驅動重新打開需要滿足以下條件之一： a) 負載被移除或者充電器插入 b) LSW 解除。 CUT：PT6007B 一旦連續(xù)檢測到電池組的溫度低于充電低溫保護閾值 tCUT 兩次，充電低溫保護 CUT 觸發(fā)，充電 MOSFET 驅動關閉。 CUT 恢復：當以下兩個條件之一發(fā)生時，充電低溫保護狀態(tài)就會被解除。 a) 連續(xù)檢測到電池組溫度高于充電低溫保護恢復閾值 tCUTR及以上兩次（或高于 tCOT及以上一次）。 b) 檢測到放電電流。 DOT、COT、CUT 閾值設定 圖 5 是溫度檢測電路，熱敏電阻為 B=3435 的 NTC：103AT。 圖 5.溫度檢測電路 DOT 閾值設定 如圖 5，DOT 閾值由連接到 VTD 的電阻 R1 設定： R1=9*RDOT 其中，RDOT是熱敏電阻 103AT 在 DOT 溫度閾值所對應的阻值。 例如： 設置 DOT 閾值為 65°C，對應的熱敏電阻阻值 RDOT=2.588KΩ，則 R1=23KΩ。 設置 DOT 閾值為 70°C，對應的熱敏電阻阻值 RDOT=2.228KΩ，則 R1=20KΩ。 設置 DOT 閾值為 75°C，對應的熱敏電阻阻值 RDOT=1.924KΩ，則 R1=17KΩ。 COT/CUT 閾值設定 COT/CUT 閾值由連接到 VTC 的電阻 R2 設定： R2=4.75RCOT 其中，RCOT是熱敏電阻 103AT 在 COT 溫度閾值所對應的阻值。 CUT 閾值由 RCOT決定： RCUT=7.125RCOT 例如： 設置 COT 閾值為 45°C，對應的熱敏電阻阻值 RCOT=4.911KΩ，則 R2=23KΩ，RCUT=34.5KΩ，對應的 CUT 閾值為- 5.5°C。

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片 PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 設置 COT 閾值為 50°C，對應的熱敏電阻阻值 RCOT=4.16KΩ，則 R2=20KΩ，RCUT=30KΩ，對應的 CUT 閾值為-2°C。 COT 閾值和 DOT 閾值由外部電阻 R1 和 R2 分別設置，可使應用更加靈活和便利。 取消 DOT/COT/CUT 功能： 用 20KΩ 的電阻替代熱敏電阻將不會觸發(fā) COT、DOT 和 CUT。 僅取消 CUT 功能： 將一個 51KΩ 的電阻與熱敏電阻并聯(lián)將不會觸發(fā) CUT。 5. 電壓保護事件 在正常工作條件下，PT6007B 周期性（TDET）檢測每一節(jié)電池電壓。 過充電保護 在充電狀態(tài)下，PT6007B 一旦連續(xù)檢測到任何一節(jié)電池電壓超過 VCOV兩次，PT6007B 就進入過充電保護狀態(tài)(COV)， 充電 MOSFET 驅動關閉。在 COV 狀態(tài)，PT6007B 一旦檢測到放電電流，充電 MOSFET 驅動打開。 如果 PT6007B 連續(xù)檢測到所有電池電壓低于 VCOVR兩次，PT6007B 退出過充電狀態(tài)。此時，若無其他充電保護事件， 則打開充電 MOSFET 驅動。 過放電保護 PT6007B 一旦連續(xù)檢測到任何一節(jié)電池電壓低于 VCUV 四次，PT6007B 就進入過放電保護狀態(tài)(CUV)，放電 MOSFET 驅動關閉。此時，若 EN_N 連接到 VREF，且無其他保護事件（CCTL 為邏輯低則默認為上一級芯片發(fā)生充電保護事件）， 芯片允許進入休眠狀態(tài)，充電器檢測功能開啟。 CUV 恢復需要滿足以下條件： a) 連續(xù)檢測到所有電池電壓高于 VCUVR兩次 CUV 恢復后，若無其他放電保護事件，負載開路檢測功能開啟，放電 MOSFET 驅動恢復需要滿足以下條件之一： a) 負載被移除或者充電器插入 b) LSW 解除。 斷線保護 PT6007B 一旦檢測不到任何一節(jié)電池電壓檢測信號線，PT6007B 就進入斷線保護狀態(tài)(OW)，充電 MOSFET 驅動關 閉。 如果 PT6007B 檢測到所有電池電壓檢測信號線，PT6007B 退出斷線保護狀態(tài)。此時，若無其他充電保護事件，則打開 充電 MOSFET 驅動。 電池均衡功能 當 PT6007B 滿足以下所有條件，芯片進入均衡允許狀態(tài)： a) 無 COV 和 CUV 以外的其他保護 b) 充電狀態(tài) c) BCL 懸空或接 VSS PT6007B 在均衡允許狀態(tài)，一旦檢測到某節(jié)電池電壓超過 VBL 一次，該節(jié)電池的均衡功能開啟，一直持續(xù)到該節(jié)電池 電壓低于 VBL。如果芯片處于 COV 狀態(tài)，則電池均衡功能將持續(xù)到該節(jié)電池電壓低于 VCOVR，以釋放充電 MOSFET 驅動， 使電池能夠再次充電。 PT6007B 采用奇偶分時均衡的策略。一旦電池均衡功能開啟，奇數(shù)節(jié)的電池在每個電壓檢測周期空閑時間的前半段進 行均衡，偶數(shù)節(jié)的電池在每個電壓檢測周期空閑時間的后半段進行均衡。 PT6007B 一旦檢測到滿足以下電池均衡條件，所有電池的均衡功能一起關閉： a) 檢測到所有電池電壓高于 VBL b) 檢測到 BCH 為邏輯高 c) 檢測到 BCL 為邏輯高 當 BCL 接 VREF，電池均衡功能被屏蔽。 當 BCL 接 VSS，PT6007B 一直處于均衡允許狀態(tài)。 6. 延遲時間設置 電壓檢測周期 TDET和溫度檢測周期由芯片內部時鐘決定。

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片 PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) SC 和 COC 的延遲時間由芯片內部固定。 CUV 的延時時間由芯片內部固定。 DOC1 和 DOC2 的延時時間由 SOCT 引腳決定。 SOCT TDOC1 Config. TDOC2 Config. VSS 1s 100ms 懸空 2s 200ms VREF 4s 400ms 7. 充放電 MOSFETs 外部控制 PT6007B 的充放電 MOSFETs 驅動可通過 CCTL 和 DCTL 引腳關閉。 當 CCTL 引腳連接至高于 VCC-0.1V 的電壓，充電 MOSFET 驅動的狀態(tài)由芯片檢測到的充電保護事件和充放電狀態(tài)決 定；當 CCTL 引腳懸空，充電 MOSFET 驅動的狀態(tài)由充放電狀態(tài)決定。 當 DCTL 引腳連接至高于 VCC-0.1V 的電壓，放電 MOSFET 驅動的狀態(tài)由芯片檢測到的放電保護事件和負載開路檢測 結果決定；當 DCTL 引腳懸空，放電 MOSFET 驅動強制關閉。 通過 CCTL 和 DCTL 引腳，PT6007B 支持多芯片級聯(lián)應用。在級聯(lián)應用中，上一級的芯片通過下一級芯片的 CCTL 和 DCTL 來控制充放電 MOSFETs。 CCTL 和 DCTL 控制邏輯： CCTL Pin CDRV Pin VCC 由充電保護事件和充放電狀態(tài)決定 懸空 由充放電狀態(tài)決定 DCTL PIN DDRV Pin VCC 由放電保護事件決定 懸空 關閉 8. SEL 功能 SEL 用于設置電池串聯(lián)數(shù)： SEL 電池串聯(lián)數(shù)配置 VSS 7 串 懸空 6 串 VREF 5 串 9. 關斷模式和休眠模式 關斷模式 當 VCC≥VPOR 且 EN_N 懸空，芯片進入關斷模式，外部電源關閉，VREF 由內部電源供電，充放電 MOSFET 驅動和 報警信號全部關閉，芯片進入低功耗狀態(tài)。 休眠模式 當 EN_N 接 VREF，芯片檢測到欠壓狀態(tài)且無其他保護事件（包括 CCTL 邏輯低狀態(tài)），充電器檢測功能啟動。如果在 TCUV_SLP的時間內未檢測到充電器插入，芯片將進入休眠模式，外部電源關閉，VREF 下拉至 VSS，充電 MOSFET 驅動和充 電器檢測功能不關閉，放電 MOSFET 驅動和報警信號關閉，芯片進入低功耗狀態(tài)。 級聯(lián)應用時，如果最下面一級芯片檢測到 DCTL 處于邏輯低和 CCTL 處于邏輯高，則默認為上面一級或多級芯片檢測 到欠壓狀態(tài)且無其他保護事件。 關斷模式和休眠模式的控制由 EN_N 引腳配置，其控制邏輯如下： EN_N 配置 VSS 禁止休眠的工作模式 VREF 允許休眠的工作模式 懸空 關斷模式 10. 電子鎖功能和 PWM 控制功能

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) PT6007B 通過 LSW 引腳實現(xiàn)電子鎖功能和 PWM 控制。 電子鎖功能 當 LSW 通過電子鎖接 VSS，且沒有放電保護事件，PT6007B 打開放電 MOSFET 驅動。 當 LSW 懸空，PT6007B 關閉放電 MOSFET 驅動。 以下條件可通過電子鎖手動打開放電 MOSFET 驅動而不需要負載開路： a) DOT、CUV、DOC1 或 DOC2 保護事件恢復 b) DCTL 恢復 c) VCC 啟動，關斷模式啟動，休眠模式啟動 d) VREF 的 POR 恢復。 在這些條件下負載開路檢測功能處于開啟狀態(tài)，此時若 LSW 懸空，負載開路檢測功能關閉，放電 MOSFET 驅動 DDRV 的鎖定狀態(tài)解除，LSW 再次接 VSS 時放電 MOSFET 驅動 DDRV 打開。 SC 保護事件恢復不可通過電子鎖打開放電 MOSFET 驅動。 PWM 控制功能 單片機可通過向 LSW 引腳輸出 PWM 信號來實現(xiàn)放電 MOSFET 驅動的 PWM 控制。 由于 DCTL 開啟放電 MOSFET 驅動時需要做負載開路檢測，故不能用于 PWM 控制。 PWM 控制時，CS 電壓即使超過放電過電流檢測閾值，但是延遲時間不足，不會觸發(fā) DOC1 和 DOC2。為了能夠觸發(fā) PSC，放電 MOSFET 驅動的高電平時間不能低于 TSC。 PWM 控制時，放電 MOSFET 驅動的低電平時間不能超過 2ms，否則芯片會在發(fā)生充電保護事件時，因檢測到充電狀 態(tài)而誤關充電 MOSFET 驅動。 PWM 控制時，若發(fā)生 CUV 或 DOT 事件，在電池電壓恢復或溫度恢復后負載開路檢測不會解除。 11. CDRV 和 DDRV 驅動 PT6007B 集成了較強的放電 MOSFET 驅動 DDRV，可以快速開啟和關閉放電 MOSFET，支持 PWM 控制，也可以驅 動多個放電 MOSFETs。（可驅動的放電 MOSFETs 數(shù)量視選用的 MOSFETs 特性決定） PT6007B 集成了兩路充電 MOSFET 驅動 CDRV。在充電狀態(tài)，CDRV 輸出電流源，在放電狀態(tài)，CDRV 輸出電壓 源，有較強的驅動能力。在充電保護事件發(fā)生后，芯片一旦檢測到放電狀態(tài)可快速開啟充電 MOSFETs。 12. 負載開路檢測和充電器檢測 PT6007B 會在放電保護事件解除，或 DCTL 轉換為邏輯高，或啟動之后，開啟放電 MOSFET 驅動之前啟動負載開路檢 測功能。此時，芯片從 VM 引腳吸收 100μA 的電流，若負載連接，VM 引腳被負載上拉到電池包正極，不能被吸收電流下 拉。若負載移除，VM 引腳被吸收電流下拉，芯片檢測到負載移除。 PT6007B 在 EN_N 接 VREF 時允許進入休眠模式。芯片在 CUV 狀態(tài)或 DCTL 為邏輯低的條件下，若未檢測到其他保 護事件（包括未檢測到 CCTL 為邏輯低），充電器檢測功能開啟。此時，芯片從 VM 引腳輸出 20μA 的電流，若充電器插 入，VM 引腳被下拉，芯片不會進入休眠模式。若充電器移除，VM 引腳被輸出電流抬高，芯片在延遲之后進入休眠。 13. LDO 輸出 PT6007B 的 VREF 引腳內置一個 4.75V 的 LDO 輸出，可以為低功耗的單片機供電。該 LDO 在 EN_N=VSS，或 EN_N=VREF 且未進入休眠時輸出 4.75V 電壓，可以為單片機提供 4mA 的工作電流。在 EN_N 懸空時，芯片進入關斷 模式，LDO 關閉，VREF 由芯片內部 4V 的電源供電，可用于維持單片機工作，只能提供 1mA 的工作電流。芯片進入 休眠模式時，LDO 關閉，VREF 無輸出，在級聯(lián)應用時可用于控制上一級芯片進入關斷模式。 需要注意的是，VREF 集成了 POR 功能，當 VREF 引腳的輸出電壓被超過輸出能力的電流拉載到低于 3.2V 時，芯片 重啟，LDO 進入限流模式，直到 VREF 引腳的電壓超過 3.5V 以上。

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片 PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 封裝信息 Symbol Millimeters Inches Min Max Min Max A 1.350 1.750 0.053 0.069  A1 0.100 0.250 0.004 0.010  A2 1.250 1.500 0.049 0.059  b 0.203 0.310 0.008 0.012  c 0.200 0.254 0.008 0.010  D 8.550 8.750 0.337 0.344  E1 3.800 4.000 0.150 0.157  E 5.800 6.200 0.228 0.244  e 0.635(BSC) 0.025(BSC) L 0.400 0.800 0.016 0.031  θ 0° 8° 0° 8°

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片 PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 重要聲明 華潤矽威(POWTECH)有權對所提供的產(chǎn)品和服務進行更正、修改、增強、改進或其它更改，并有權中止提供任何產(chǎn)品和服務?？蛻粼?下訂單前應獲取最新的相關信息, 并驗證這些信息是否完整且是最新的。所有產(chǎn)品的銷售都遵循在訂單確認時所提供的華潤矽威銷售條款與 條件。 華潤矽威保證其所銷售的產(chǎn)品的性能符合產(chǎn)品銷售時半導體產(chǎn)品銷售條件與條款的適用規(guī)范。僅在華潤矽威保證的范圍內，且華潤矽 威認為有必要時才會使用測試或其它質量控制技術。除非適用法律做出了硬性規(guī)定，否則沒有必要對每種產(chǎn)品的所有參數(shù)進行測試。 華潤矽威對應用幫助或客戶產(chǎn)品設計不承擔任何義務。客戶應對其使用華潤矽威的產(chǎn)品和應用自行負責。為盡量減小與客戶產(chǎn)品和應 用相關的風險，客戶應提供充分的設計與操作安全措施。 華潤矽威產(chǎn)品未獲得用于FDA Class III（或類似的生命攸關醫(yī)療設備）的授權許可，除非各方授權官員已經(jīng)達成了專門管控此類使用的 特別協(xié)議。 只有那些華潤矽威特別注明屬于軍用等級或“增強型塑料”的華潤矽威產(chǎn)品才是設計或專門用于軍事/航空應用或環(huán)境的。購買者認可并 同意，對并非指定面向軍事或航空航天用途的華潤矽威產(chǎn)品進行軍事或航空航天方面的應用，其風險由客戶單獨承擔，并且由客戶獨力負 責滿足與此類使用相關的所有法律和法規(guī)要求。 華潤矽威未明確指定符合ISO/TS16949 要求的產(chǎn)品不能應用于汽車。在任何情況下，因使用非指定產(chǎn)品而無法達到ISO/TS16949 要 求，華潤矽威不承擔任何責任。