氯、臭氧、二氧化氯

氯化、臭氧化和二氧化氯 (ClO 2 ) 是對超純水和處理系統(tǒng)進(jìn)行消毒和消毒的常用有效技術(shù)。溶解的氯，臭氧和C10的測量2個濃度高純度的處理過程的主要部分，以保證足夠的處理水平。

電導(dǎo)率

在純水系統(tǒng)中，電解電導(dǎo)率或電阻率測量是離子污染最常見的指標(biāo)。

當(dāng)使用采樣管線進(jìn)行測量時，超純水很容易被大氣中的微量二氧化碳通過微小泄漏或通過薄壁聚合物管擴(kuò)散而受到污染。二氧化碳在水中形成導(dǎo)電碳酸。因此，電導(dǎo)探頭通常永久地直接插入主超純水系統(tǒng)管道中，以提供對污染的實時連續(xù)監(jiān)測。這些探頭包含電導(dǎo)率和溫度傳感器，可以準(zhǔn)確補(bǔ)償溫度對純水電導(dǎo)率的巨大影響。

氧氣（溶解的）

先進(jìn)的微電子制造工藝要求超純沖洗水中的溶解氧 (DO) 濃度低至個位數(shù)至 10 ppb，以防止晶片薄膜和層氧化。發(fā)電廠水和蒸汽中的溶解氧必須控制在 ppb 級以最大程度地減少腐蝕。

漂洗水中的雜質(zhì)，如高溶解氧含量、有機(jī)污染物和氣泡會導(dǎo)致缺陷。控制晶片表面上的氧化物形成是減少殘留溶解氧水平的原因之一。隨著芯片線寬不斷減小，水的質(zhì)量和溶解氧含量變得更加關(guān)鍵。

酸堿度

許多水處理應(yīng)用中經(jīng)常使用高純水，以避免水雜質(zhì)可能造成的污染。測量這種水的 pH 值具有挑戰(zhàn)性，需要專門的設(shè)備。

由于各種原因，高純水中的 pH 測量具有挑戰(zhàn)性。純水的低電導(dǎo)率加上易受污染、參比電極的可變性和額外的溫度影響，使這成為一項特別具有挑戰(zhàn)性的測量。克服這些障礙需要徹底了解潛在問題及其系統(tǒng)解決方案。

氧化還原 (ORP)

氧化還原或 ORP（氧化還原電位）測量用于指示水中氧化或還原條件的存在。在純水處理中，ORP 通常用于確保在可能被氧化損壞的膜或去離子樹脂之前去除氯或其他氧化劑。

二氧化硅

在高純水處理系統(tǒng)中，如果在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)任何故障，二氧化硅含量通常首先增加。

高純水系統(tǒng)通常測量痕量二氧化硅，因為它是污染物的可靠主要指標(biāo)。二氧化硅是地球上最豐富的礦物質(zhì)之一，存在于所有水源中。在芯片制造行業(yè)，微量二氧化硅有可能在 UPW 干燥時保留在微芯片的晶圓上，這會導(dǎo)致產(chǎn)量的顯著損失