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二次離子質(zhì)譜如何在半導體行業(yè)進行應用？

二次離子質(zhì)譜是利用質(zhì)譜技術(shù)對固體樣品表面濺射的二次離子進行檢測和分析，從而獲得表面成分信息的技術(shù)。所謂濺射是指當具有一定能量（通常為數(shù)百至數(shù)萬EV）的初級離子束轟擊固體表面時，激發(fā)樣品表面上某些粒子的過程。這些粒子大部分是中性粒子，少數(shù)是原子、原子團簇和帶正負電荷的分子。這些帶電粒子是二次離子。

Sims可以檢測從氫到鈾的所有元素及其同位素，元素的檢測限可以達到ppm~ppb水平。由于濺射二次離子不僅包含原子，還包含原子團和分子，因此Sims技術(shù)可以檢測無機和有機物質(zhì)。它已廣泛應用于微電子、材料、化學、地質(zhì)、生物醫(yī)學等領(lǐng)域。配備TOF檢測器的二次離子質(zhì)譜儀是目前表面分析技術(shù)中分辨率最高的。TOF-SIMS的分辨率可達104，深度分辨率可達1nm，微區(qū)分辨率可達100nm2，二次離子濃度靈敏度可達ppm。

根據(jù)掃描模式，SIMS可分為靜態(tài)（SSIM）和動態(tài)（DSIM）。SSIMS要求真空<10-7pa，電子束能量小于5kev，并以低束流密度轟擊材料微區(qū)，以確保僅激發(fā)單層原子以實現(xiàn)超高表面分辨率。DSIMS采用高能高密度離子束分層剝離材料，同時交替進行高能離子束濺射和質(zhì)譜檢測，檢測不同深度的二次離子信息，動態(tài)分析元素在三維空間的分布。DSIMS的空間分辨率可以達到亞微米級。

由于Sims具有很高的靈敏度和空間分布檢測能力，特別適用于半導體材料的分析，如半導體元件的元素摻雜和表面污染等。此外，在低元素濃度下，二次離子的產(chǎn)率與濃度有一定的線性關(guān)系，因此Sims也可以通過標準樣品實現(xiàn)定量分析。杭州微源檢測的德國離子TOF利用先進的TOF-SIMS儀器測試可以提供完善的SIMS技術(shù)解決方案。下圖是半導體材料薄膜結(jié)構(gòu)的DSIMS分析曲線。從圖中，我們可以看到不同元素和組在材料縱向上的相對變化。

公司介紹：

       微源檢測，是集研發(fā)分析測試服務(wù)、藥物質(zhì)量研究、基因毒雜質(zhì)研究、元素雜質(zhì)研究、結(jié)構(gòu)確認、生物藥分析服務(wù)等一體，面向全球的獨立第三方生物醫(yī)藥研發(fā)測試服務(wù)公司。

由國內(nèi)領(lǐng)先的科學服務(wù)企業(yè)上海泰坦科技股份有限公司（簡稱：泰坦科技）參股成立，秉承“讓檢測精準又高效”的價值觀：

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l建設(shè)有1500+平米的高標準生物醫(yī)藥實驗室

l專業(yè)技術(shù)研發(fā)團隊成員經(jīng)驗豐富，3天出具檢測結(jié)果

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       微源檢測定制的個性化方案，為客戶提供了專業(yè)可靠，高效率、高質(zhì)量、合規(guī)的檢測分析服務(wù)。協(xié)助客戶解決了檢測,分析,測試等各類問題，縮短了工藝驗證或方法建立所用的時間，降低研發(fā)風險，縮短研發(fā)周期，推進產(chǎn)品的市場化進程。