深圳市奧仕電子有限公司主營(yíng)：咪頭,傳聲器,降噪咪頭,駐極體咪頭,單指向咪頭,全指向咪頭

咪頭工作原理

1、 由靜電學(xué)可知，對(duì)于平行板電容器，有如下的關(guān)系式：C=εS/4πkd…①即電容的容量與介質(zhì)的介電常數(shù)成正比，與兩個(gè)極板的面積成正比，與兩個(gè)極板之間的距離成反比。/

2、另外，當(dāng)一個(gè)電容器充有Q量的電荷，那么電容器兩個(gè)極板要形成一定的電壓，有如下關(guān)系式：C=Q/V ……②

對(duì)于一個(gè)駐極體咪頭，內(nèi)部存在一個(gè)由振膜，墊片和極板組成的電容器，因?yàn)槟て铣溆须姾?，并且是一個(gè)塑料膜，因此當(dāng)膜片受到聲壓強(qiáng)的作用，膜片要產(chǎn)生振動(dòng)，從而改變了膜片與極板之間的距離，從而改變了電容器兩個(gè)極板之間的距離，產(chǎn)生了一個(gè)Δd的變化，因此由公式①可知，必然要產(chǎn)生一個(gè)ΔC的變化，由公式②又知，由于ΔC的變化，充電電荷又是固定不變的，因此必然產(chǎn)生一個(gè)ΔV的變化，這樣初步完成了一個(gè)由聲信號(hào)到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換。支持骨干企業(yè)改造升級(jí)，盡快建成具備規(guī)模效益和先進(jìn)技術(shù)水平的集成電路芯片生產(chǎn)線，支持骨干整機(jī)企業(yè)和芯片企業(yè)重組，進(jìn)一步提升技術(shù)水平和生產(chǎn)能力。

3、由于這個(gè)信號(hào)非常微弱，內(nèi)阻非常高，不能直接使用，因此還要進(jìn)行阻抗變換和放大。

FET場(chǎng)效應(yīng)管是一個(gè)電壓控制元件，漏極的輸出電流受源極與柵極電壓的控制。

由于電容器的兩個(gè)極是接到FET的S極和G極的，因此相當(dāng)于FET的S極與G極之間加了一個(gè)Δv的變化量，F(xiàn)ET的漏極電流I就產(chǎn)生一個(gè)ΔID的變化量，因此這個(gè)電流的變化量就在電阻RL上產(chǎn)生一個(gè)ΔVD的變化量，這個(gè)電壓的變化量就可以通過(guò)電容C0輸出，這個(gè)電壓的變化量是由聲壓引起的，因此整個(gè)咪頭就完成了一個(gè)聲電的轉(zhuǎn)換過(guò)程。源極輸出有三根引出線，漏極D接電源正極，源極S經(jīng)電阻接地，再經(jīng)一電容作信號(hào)輸出。

電聲器件技術(shù)升級(jí)應(yīng)從五方面著手

電聲器件總是可以采用等效電路的方法，應(yīng)用電子電路原理，在不同的頻段內(nèi)分析電路特性，實(shí)現(xiàn)電聲器件優(yōu)良聲性能和推斷電聲器件部件的性能要求。

 分析時(shí)我們總可以將電聲器件的軟件等效為三個(gè)參數(shù)：阻尼(Rm)、順性(Cm)和質(zhì)量(Mm)，這三個(gè)參數(shù)主要依賴于軟件材料本身的楊氏模量E、材料密度 ρ和內(nèi)阻尼系數(shù)，同時(shí)又與軟件的形狀和加工方式有關(guān)。軟件形狀為異形，要正確測(cè)定其軟件的楊氏模量和內(nèi)阻尼是很困難的，而一旦最基礎(chǔ)的E、ρ、內(nèi)阻尼提供 不準(zhǔn)確，那么作為電路基礎(chǔ)的Rm、Cm、Mm就談不上凈確，電路分析誤差自然就會(huì)非常大。運(yùn)用CAT技術(shù)測(cè)試揚(yáng)聲器軟件的E等物理參數(shù)，運(yùn)用CAD進(jìn)行揚(yáng) 聲器的磁路設(shè)計(jì)、散熱設(shè)計(jì)和零部件的力學(xué)設(shè)計(jì)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)揚(yáng)聲器單元的CAD設(shè)計(jì)。像澳士堡中g(shù)ao端專業(yè)咪芯，聲音純真而有力度，專為KTV、舞臺(tái)演出的環(huán)境而研發(fā)的，高頻瞬態(tài)反應(yīng)良好，高頻區(qū)域較寬，且無(wú)碎感，能夠輕松應(yīng)對(duì)唱歌愛(ài)好者高頻區(qū)遲鈍之狀況。同時(shí)也可依據(jù)振膜等物理參數(shù)，在計(jì)算機(jī)上模擬制成的樣品，就可預(yù)知顯示成 品頻響等各項(xiàng)性能指標(biāo)。將所顯示指標(biāo)與原設(shè)計(jì)要求作比較，為達(dá)到預(yù)定要求，修改軟件的參數(shù)，再在計(jì)算機(jī)上模擬，經(jīng)過(guò)多次修改，使模擬軟件完全滿足成品所需 要的各項(xiàng)性能要求。再根據(jù)模擬軟件的性能指標(biāo)，采用CAM加工和CAT測(cè)試，來(lái)實(shí)現(xiàn)所需要求性能的軟件。

電容式咪頭的結(jié)構(gòu)

  電容式麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)主要利用兩片導(dǎo)電板及兩板之間的絕緣空氣層來(lái)形成一基本電容構(gòu)造，此兩片導(dǎo)電板通常分別被稱為“振膜”( Membrane)與“背板”(Backplate)。通路也使振動(dòng)膜前后之間的靜壓力達(dá)到平衡，類似耳朵的咽鼓管功能。理想的振膜為一極柔軟的彈性薄膜，受到聲壓作用時(shí)會(huì)產(chǎn)生振動(dòng)，因而產(chǎn)生微距離改變，造成振膜和背板之間的動(dòng)態(tài)微位移，因此使該結(jié)構(gòu)的電容值亦隨之改變。     

 電容式麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)原理：MEMS麥克風(fēng)的感測(cè)器晶片構(gòu)造通常是由一層較薄且低應(yīng)力的復(fù)晶矽或氮化矽形成振膜，另以一較厚的復(fù)晶矽或是金屬層形成具有多孔結(jié)構(gòu)的背板，共同形成一組以空氣作為介電層的微電容器構(gòu)造。除了必要的MEMS感測(cè)器之外，在MEMS麥克風(fēng)的封裝體內(nèi)通常還須搭配另一顆電路晶片，提供給該MEMS晶片正常操作時(shí)需要的穩(wěn)定偏壓、并將訊號(hào)經(jīng)過(guò)放大處理后輸出，一般泛稱為ASIC (Application-Specific IC)。   MEMS 麥克風(fēng)感測(cè)晶片的構(gòu)造示意圖：MEMS麥克風(fēng)使用的ASIC因產(chǎn)品應(yīng)用類別不同，區(qū)分為類比式和數(shù)位式兩款。類比式的ASIC其基本架構(gòu)主要是由“倍壓電路”(Charge Pump)、“電壓穩(wěn)定器”(Voltage Regulator)及“放大器”(Amplier)三大功能區(qū)塊的電路所組成。１．靈敏度測(cè)試范圍分四檔：－30dB，－40dB，－5OdB，－60dB,（0dB=1V/Pa）。     倍壓電路目的是藉由對(duì)輸入的電源進(jìn)行增壓處理，以提供MEMS晶片所需之較高操作電壓。放大器電路功用在于放大及穩(wěn)定輸入訊號(hào)。電壓穩(wěn)定器的功能則是在ASIC電源輸入端提供穩(wěn)壓處理，使晶片內(nèi)部各電路區(qū)塊皆能正常運(yùn)作。而數(shù)位式ASIC除了同時(shí)具備上述三項(xiàng)基本功能區(qū)塊之外，還增加了所謂“三角積分調(diào)變器”(Sigma Delta Modulator)電路，來(lái)負(fù)責(zé)訊號(hào)的取樣與雜訊等任務(wù)。