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IPD65R600E6-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管-HEXFET集成電路
價(jià)格
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店鋪主推品 熱銷潛力款
聯(lián)系人 朱慧 總監(jiān) 
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發(fā)貨地 廣東省深圳市
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半導(dǎo)體電子元器件廠家
店齡3年 
企業(yè)認(rèn)證
聯(lián)系人
朱慧 總監(jiān)
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廣東省深圳市
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
品牌 IR
封裝 TO-252
系列 HEXFET
批號(hào) 22+
包裝 最新
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 4.5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 600 毫歐 @ 2.1A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 210μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 23 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 440 pF @ 100 V
FET 功能 -
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
型號(hào) IPD65R600E6
數(shù)量 92000
功率耗散（最大值） 37W（Tc）
FET 類型 N 通道
商品介紹
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公司名稱 半導(dǎo)體電子元器件廠家
聯(lián)系賣家 朱慧 
（QQ：2880524286）
（QQ：2880524286） 電話 䀍䀓䀔䀔-䀑䀐䀌䀋䀔䀌䀔䀌
手機(jī) 䀋䀒䀔䀌䀌䀌䀏䀌䀒䀌䀑
網(wǎng)址 http://goic1688.com
地址 廣東省深圳市
聯(lián)系二維碼
朱慧 總監(jiān)
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