IPD170N04N 分立半導體產(chǎn)品 晶體管 OptiMOS 集成電路 IR
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IPD170N04N-分立半導體產(chǎn)品-晶體管-OptiMOS

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品牌 IR
封裝 TO-252
系列 OptiMOS
批號 22+
包裝 最新
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 30A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 17 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4V @ 10μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 11 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 880 pF @ 20 V
FET 功能 -
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
型號 IPD170N04N
數(shù)量 92000
功率耗散（最大值） 31W（Tc）
FET 類型 N 通道
商品介紹

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搶購價：商品參與營銷活動的活動價格，也可能隨著購買數(shù)量不同或所選規(guī)格不同而發(fā)生變化，最終以訂單結(jié)算頁價格為準。

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公司名稱 半導體電子元器件廠家
聯(lián)系賣家 朱慧 （QQ：2880524286）
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手機 잵잲잯잴잴잴잱잴잲잴잭
網(wǎng)址 http://goic1688.com
地址 廣東省深圳市
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