IRF1902UPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 HEXFET 集成電路 IR
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IRF1902UPBF-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管-HEXFET

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商品介紹
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品牌 IR
封裝 TO-252
系列 HEXFET
批號(hào) 22+
包裝 最新
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 4.2A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 85 毫歐 @ 4A,4.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) 7.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) 310 pF @ 15 V
FET 功能 -
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
型號(hào) IRF1902UPBF
數(shù)量 92000
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
FET 類型 N 通道
商品介紹

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搶購(gòu)價(jià):商品參與營(yíng)銷活動(dòng)的活動(dòng)價(jià)格,也可能隨著購(gòu)買數(shù)量不同或所選規(guī)格不同而發(fā)生變化,最終以訂單結(jié)算頁價(jià)格為準(zhǔn)。

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聯(lián)系賣家 朱慧 (QQ:2880524286)
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網(wǎng)址 http://goic1688.com
地址 廣東省深圳市
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