德國(guó)ISEG EHS 82 40p高壓插件EHS系列

從 100 V 到 10 kV 的全系列多通道單元（每通道典型值 9 W）

低紋波和噪聲

每個(gè)通道的電壓和電流控制

每個(gè)模塊的硬件電流和電壓限制

可編程跳閘參數(shù)

24 位 ADC 和 16-20 位 DAC

保護(hù)電路、回路、每個(gè)通道可選的 INHIBIT

對(duì)于一些帶有單通道浮動(dòng) GND 的舊型號(hào) HV 模塊，電流設(shè)置值不能設(shè)置為零（例如，

由于不可補(bǔ)償?shù)钠疲?。?duì)于這些模塊，輸出電流限制在非常低的值 (< 0.5 % Inom)

。

對(duì)于所有最近的 EHS 型號(hào)，設(shè)定電流的值可以連續(xù)調(diào)整，特定類型的分辨率低至

零。

為電流設(shè)定值有足夠的分辨率，應(yīng)選擇適合應(yīng)用的標(biāo)稱電流。

iseg 提供的 HV 模塊在所有電壓等級(jí)中的標(biāo)稱電流均降至 100 μA 或 10 μA。這些是指定的，例如為了

半導(dǎo)體探測(cè)器，只需要幾微安的工作電流。

3.5.3 具有兩個(gè)電流測(cè)量范圍的模塊

具有兩個(gè)電流范圍的高精度 HV 模塊是一個(gè)特例。在這些 HV 模塊中，高電流輸出為

結(jié)合低電流測(cè)量范圍內(nèi)的皮安級(jí)分辨率。范圍切換由

取決于 Imeas 的微處理器：

高量程：Inom-low < Imeas < Inom

低量程：0 < Imeas < Inom-low

Inom-low 的典型值為 20 μA。

德國(guó)ISEG EHS 82 40p高壓插件EHS系列

只要使用高測(cè)量范圍內(nèi)的設(shè)定電流，一切都按上述方式工作。如果在低設(shè)定電流

如果指定了測(cè)量范圍，則電流限制設(shè)置為低測(cè)量范圍的 120 %。

示例：如果 I → set = 10 μA，則 Inom-low = 20 μA 電流限制設(shè)置為 24 μA

現(xiàn)在該通道僅在低測(cè)量范圍內(nèi)運(yùn)行。設(shè)定電流 Iset 和測(cè)量電流 Imeas 的軟件比較

除了所描述的硬件 CC 和 CV 信號(hào)采樣之外，還執(zhí)行。

有了這個(gè)原則，就滿足了兩個(gè)要求：

? 即使在快速變化期間，輸出電流也不會(huì)超過(guò) 24 微安，并且

? 對(duì)于這些 HV 模塊，延遲跳閘功能擴(kuò)展到非常小的電流（皮安）區(qū)域。

對(duì)于軟件比較，必須預(yù)計(jì)會(huì)有 80 毫秒到 1 秒之間的延遲。這取決于模塊

ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換器）配置。

這個(gè)時(shí)間可以通過(guò)改變ADC采樣率來(lái)調(diào)整以滿足應(yīng)用的要求。更高的 ADC 樣本

率會(huì)導(dǎo)致更短的延遲，但也會(huì)降低分辨率。

如果了延遲跳閘功能，則電壓斜坡應(yīng)限制為之前 Vnom 的 1%。較高的值可能會(huì)觸發(fā)行程

通過(guò)斜坡期間的內(nèi)部電荷平衡，即使輸出電流不超過(guò)設(shè)定值 Iset。

如果連接的負(fù)載包含容量或 Iset 非常小，則可能需要進(jìn)一步降低斜坡速度。

或者，延遲跳閘只能在斜坡完成后。