上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220,實現(xiàn) 8寸芯片蝕刻
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上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220,實現(xiàn) 8寸芯片蝕刻
上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220,實現(xiàn) 8寸芯片蝕刻

上海伯東美國-KRi-射頻離子源-RFICP

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商品介紹
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品牌 KRi
產(chǎn)地 美國
型號 RFICP220
最大離子束流 > 1000mA
電壓范圍 100-1200V
離子束動能 100-1200eV
離子束柵極 22cm Φ
中和器 LFN 2000, MHC 1000
離子束流形狀 平行,聚焦,散射
鎖緊安裝法蘭 10”CF
商品介紹
價格貨期電議

上海伯東代理美國原裝進口 KRi 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標(biāo)準(zhǔn)配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.
KRi 射頻離子源 RFICP220

KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):

陽極

電感耦合等離子體
2kW & 2 MHz
射頻自動匹配

最大陽極功率

>1kW

最大離子束流

> 1000mA

電壓范圍

100-1200V

離子束動能

100-1200eV

氣體

Ar, O2, N2, 其他

流量

5-50 sccm

壓力

< 0.5mTorr

離子光學(xué), 自對準(zhǔn)

OptiBeamTM

離子束柵極

22cm Φ

柵極材質(zhì)

鉬

離子束流形狀

平行,聚焦,散射

中和器

LFN 2000, MHC 1000

高度

30 cm

直徑

41 cm

鎖緊安裝法蘭

10”CF


KRI 射頻離子源 RFICP 220 基本尺寸
射頻離子源 RFICP220
射頻離子源中和器

KRI 射頻離子源 RFICP 220 應(yīng)用領(lǐng)域：
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學(xué)鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

射頻離子源 RFICP 220 集成于半導(dǎo)體設(shè)備, 實現(xiàn) 8寸芯片蝕刻
射頻離子源 RFICP220

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領(lǐng)域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 107             T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
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公司名稱 上海伯東真空產(chǎn)品事業(yè)部
聯(lián)系賣家 葉南晶 （QQ：2821409400）
電話 㜄㜇㜉-㜈㜄㜅㜌㜆㜈㜉㜉
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地址 上海市浦東新區(qū)
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