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安富利（深圳）商貿(mào)有限公司 
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安富利（深圳）商貿(mào)有限公司
店齡6年 · 
企業(yè)認(rèn)證 · 
廣東省深圳市
主營產(chǎn)品: 代理品牌：Super Semi（超致）, 賽普微, 奧倫德, RUNIC（潤石）, Honeywell（霍尼韋爾），分銷品牌：TI（德州儀器）, ST（意法半導(dǎo)體）, ADI（亞德諾半導(dǎo)體）, INFINEON（英飛凌）, IR（國際整流器）, ON（安森美）, MPS（芯源半導(dǎo)體） 等等，Strong Product Line：DSP, MCU, FPGA, SENSOR, OPA, TPS, LOGIC, MOS, PWM, AD-DC, DC-DC等等。
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店齡6年 · 企業(yè)認(rèn)證 · 廣東省深圳市 
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SIR668ADP-T1-RE3-集成電路IC
價格
訂貨量(個)
￥25.00
≥1000
店鋪主推品 熱銷潛力款
聯(lián)系人 Ivy單/Daisy楊/Coco倪/Zoe王
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發(fā)貨地 廣東省深圳市
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所在地區(qū)
廣東省深圳市
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商品參數(shù)
|
商品介紹
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聯(lián)系方式
型號 SIR668ADP-T1-RE3
品牌 Vishay / Siliconix
封裝 PowerPAK-SO-8
批號 18+
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
數(shù)量 40000
商品介紹
SIR668ADP-T1-RE3 集成電路IC 介紹：
產(chǎn)品種類:集成電路IC
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PowerPAK-SO-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
商標(biāo)名:TrenchFET, PowerPAK
系列:SIR
商標(biāo):Vishay / Siliconix
下降時間:10 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:18 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:36 ns
典型接通延遲時間:21 ns
SIR668ADP-T1-RE3 集成電路IC 新聞資料：
威世硅尼克斯 TrenchFET® 第四代 N 溝道 MOSFET 是威世新一代 TrenchFET®系列 N 溝道 MOSFET。這些新器件采用新的高密度設(shè)計，SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP、SiSA04DN 具有業(yè)界較低導(dǎo)通電阻（在 4.5V 下低至 1.35 mΩ）和低總柵極電荷，采用 PowerPAK® SO-8 和 1212-8封裝。 特性包括極低 RDS(on)，這轉(zhuǎn)化為更低導(dǎo)通損耗，從而降低功耗；非常低的 Qdg/Qgs 比例：0.5 或更低；節(jié)省空間的 PowerPAK® 1212-8 封裝，以三分之一的大小實現(xiàn)了相近效率。典型應(yīng)用有大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器或 OR-ing。
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel）、安捷倫;
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司，全球最專業(yè)的配單專家。一手貨源!價格優(yōu)勢！所出的物料，絕對原裝正品！放心購買！本公司為一般納稅人，可開13%增值稅票！歡迎垂詢！
地址：深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號A棟201。
產(chǎn)品種類:集成電路IC
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PowerPAK-SO-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
商標(biāo)名:TrenchFET, PowerPAK
系列:SIR
商標(biāo):Vishay / Siliconix
下降時間:10 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:18 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:36 ns
典型接通延遲時間:21 ns
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威世硅尼克斯 TrenchFET® 第四代 N 溝道 MOSFET 是威世新一代 TrenchFET®系列 N 溝道 MOSFET。這些新器件采用新的高密度設(shè)計，SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP、SiSA04DN 具有業(yè)界較低導(dǎo)通電阻（在 4.5V 下低至 1.35 mΩ）和低總柵極電荷，采用 PowerPAK® SO-8 和 1212-8封裝。 特性包括極低 RDS(on)，這轉(zhuǎn)化為更低導(dǎo)通損耗，從而降低功耗；非常低的 Qdg/Qgs 比例：0.5 或更低；節(jié)省空間的 PowerPAK® 1212-8 封裝，以三分之一的大小實現(xiàn)了相近效率。典型應(yīng)用有大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器或 OR-ing。
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SIR668ADP-T1-RE3 集成電路IC 產(chǎn)品圖片：
SIR668ADP-T1-RE3 集成電路IC 工作電路圖：
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公司名稱 安富利（深圳）商貿(mào)有限公司
聯(lián)系賣家 Ivy單/Daisy楊/Coco倪/Zoe王 
（QQ：3004683282）
（QQ：3004683282） 電話 憧憥憤憤-憦憦憫憧憥憦憫憥
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網(wǎng)址 http://www.anfuli.net/
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