用于3-12英寸的單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體的線切割。是太陽能光伏產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)的工程性加工材料。

碳化硅的主要分析檢測(cè)方法：

碳化硅中硅的含量決定碳化硅的硬度。 碳化硅的粒徑大小對(duì)線切割影響很大， 但最重要的是碳化硅的顆粒形狀。因?yàn)榫€切割時(shí)碳化硅為游離狀態(tài)切割 顆粒的形狀變化對(duì)切割效率及切割質(zhì)量要重要影響。

檢測(cè)辦法：硅的含量需要原子吸收檢測(cè)(檢測(cè)效率高，數(shù)值較精確）。

碳化硅粒徑需要電阻法顆粒分析儀（效率高）。

碳化硅粒型檢測(cè)需要瑞思RA200顆粒分析儀.（可以分析顆粒形狀系數(shù) 圓度 較準(zhǔn)確）。