MOSFET NTR1P02LT1G ON SOT-23工廠價(jià)格優(yōu)惠
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聯(lián)系方式
品牌 ON
Q Q 2530694866
封裝 SOT-23
數(shù)量 320000
年份 2019+
下降時(shí)間 15 ns
高度 0.94 mm
長(zhǎng)度 2.9 mm
商品介紹

商品詳情


RoHS是
技術(shù)Si
安裝風(fēng)格SMD/SMT
封裝 / 箱體SOT-23-3
通道數(shù)量1 Channel
晶體管極性P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓- 20 V
Id-連續(xù)漏極電流- 1.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻220 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓12 V
最小工作溫度- 55 C
最大工作溫度+ 150 C
配置Single
通道模式Enhancement
下降時(shí)間15 ns
高度0.94 mm
長(zhǎng)度2.9 mm
Pd-功率耗散400 mW
產(chǎn)品MOSFET Small Signal
上升時(shí)間15 ns
系列NTR1P02L
工廠包裝數(shù)量3000
晶體管類型1 P-Channel
類型MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間18 ns
典型接通延遲時(shí)間7 ns
寬度1.3 mm
單位重量8 mg
制造商ON Semiconductor
包裝方式剪切帶（CT）
壽命周期在售
FET 類型P 溝道
漏源電壓（Vdss）20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）1.3A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）1.25V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）5.5nC @ 4V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）225pF @ 5V
功率耗散（最大值）400mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）220 毫歐 @ 750mA，4.5V
工作溫度范圍-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3




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公司名稱 深圳市米萊歐科技有限公司
聯(lián)系賣家 姚少華 （QQ：2530694866）
電話 莵莽莻莻-莶莾莽莶莵莺莺莺
手機(jī) 莸莾莽莹莻莻莼莵莹莹莹
傳真 莵莽莻莻-莶莹莶莵莵莶莶莼
地址 廣東省深圳市
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