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PL3369

編輯：LX

PL3369B 內(nèi)部集成 VDD 檢測電路，系統(tǒng)上電后，當(dāng) VDD 端電壓超過芯片的閾值電壓時，芯片開始工作并輸出 PWM 信號，進(jìn)而驅(qū)動功率 BJT 管。為了防止 VDD 上升過程中抖動對芯片的影響，內(nèi)部設(shè)置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 17.5V 和 4.5V。

PL3369B 具有低的啟動電流，因而可以采用大的啟動電阻以及小的 VDD 電容以降低應(yīng)用中的功率損耗。

PL3369B 的工作電流很低，再加上特有的復(fù)合模式控制，從而提高了系統(tǒng)的效率，特別是系統(tǒng)處于輕載條件下。

PL3115B

PL3115B的主要特性：

內(nèi)置高集成度的功率MOSFET

+/-5%恒壓調(diào)節(jié)

 全電壓范圍內(nèi)精準(zhǔn)的恒流調(diào)節(jié)

去除光耦和次級恒流恒壓控制電路

內(nèi)置高精度恒流調(diào)節(jié)的線電壓補(bǔ)償

內(nèi)置變壓器電感補(bǔ)償

可編程的輸出線補(bǔ)償

可提高效率的自適應(yīng)多模式PWM/PFM控制

低啟動電流

限流保護(hù)

內(nèi)置前沿消隱

過壓保護(hù)

良好的動態(tài)響應(yīng)

欠壓保護(hù)

PL3116B

PL3116B 為小功率的適配器/充電器應(yīng)用提供了很有效的解決方案，其新穎的恒流/恒壓控制使得系統(tǒng)不需要次級反饋電路，并能實(shí)現(xiàn)高精度的恒流/恒壓輸出，從而滿足更嚴(yán)格的能源損耗要求。

啟動電流和工作電流：PL3116B 具有低的啟動電流，因而可以采用大的啟動電阻以及小的 VDD 電容以降低應(yīng)用中的功率損耗。

PL3116B 的工作電流小至 1mA，再加上特有的復(fù)合模式控制，從而提高了系統(tǒng)的效率，特別是系統(tǒng)處于輕載條件下。