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Si3N4的使用溫度一般不超過1300°C

氮化硅的很多性能都歸結于此結構。純Si3N4為3119，有α和β兩種晶體結構，均為六角晶形，其分解溫度在空氣中為1800℃，在110MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數(shù)低、導熱率高。熱壓燒結的氮化硅加熱到l000℃后投入冷水中也不會。在不太高的溫度下，Si3N4 具有較高的強度和抗沖擊性，但在1200℃以上會隨使用時間的增長而出現(xiàn)破損，使其強度降低，在1450℃以上更易出現(xiàn)疲勞損壞，所以Si3N4 的使用溫度一般不超過1300℃。

氮化硅結合碳化硅制品介紹

氮化硅結合碳化硅制品： 氮化硅結合碳化硅材料是一種耐火材料，主要產(chǎn)品有氮化硅結合碳化硅輻射管、氮化硅結合碳化硅磚等。 被廣泛應用于鋼鐵、有色金屬、化工建材等多種行業(yè)，具有節(jié)能、環(huán)保、耐高溫、耐腐蝕等諸多優(yōu)點。 1、氮化硅結合碳化硅制品，質地堅硬，莫氏硬度約為9，在非金屬材料中屬于硬度材料，僅次于金剛石。 2、氮化硅結合碳化硅制品的常溫強度高，在1200-1400℃高溫下，幾乎保持與常溫相同時間的強度和硬度。隨著使用氣氛的不同，使用溫度可達到1650-1750℃。 3、熱膨脹系數(shù)小，相比碳化硅等制品熱導率高，不易產(chǎn)生熱應力，具有良好熱震穩(wěn)定性，使用壽命長。高溫抗蠕能力強，耐腐蝕，易制成尺寸精度高符合要求的制品。 4、產(chǎn)品廣泛應用于鋼鐵、有色金屬、化工建材等多種行業(yè)，節(jié)能、環(huán)保、降低成本。 制取方法 氮化硅磚采用硅粉氮化后燒結或熱壓方法制取。燒制氮化硅磚的生產(chǎn)工藝與鎂質磚大體相仿。為了消除磚在燒成過程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接結合氮化硅磚。 優(yōu)點 氮化硅磚耐火度高，高溫強度大，抗堿性渣侵蝕性強，熱穩(wěn)定性優(yōu)良，對酸性渣也有一定的適應性。 應用 用于航空、冶金、機械、半導體等工業(yè)中制造高溫軸承、冶金坩堝、半導體區(qū)域熔煉舟器等。 氮化硅是一種重要的結構陶瓷材料。它是一種超硬物質，本身具有潤滑性，并且耐磨損，為原子晶體；高溫時。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優(yōu)異的特性，人們常常利用它來制造軸承、氣輪機葉片、機械密封環(huán)等機械構件。

氣壓燒結法(GPS)獲得很大的進展

氣壓燒結法（ GPS)

近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究，獲得了很大的進展。氣壓燒結氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓控制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結，在添加較少燒結助劑情況下，也足以促進Si3N4晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結無論在實驗室還是在生產(chǎn)上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性，可直接制取接近終形狀的各種復雜形狀制品，從而可大幅度降低生產(chǎn)成本和加工費用. 而且其生產(chǎn)工藝接近于硬質合金生產(chǎn)工藝，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。