Beneq熱型/等離子增強型原子層沉積設(shè)備

       
一、等離子增強型原子層沉積設(shè)備產(chǎn)品簡介
       常規(guī)原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基片上自限制式化學(xué)吸附并在一定溫度下反應(yīng)而形成單原子層沉積膜的一種方法。不斷重復(fù)這種自限制反應(yīng)就形成所需要厚度的薄膜。在膜層的均勻性、保形性、階梯覆蓋率以及厚度控制等方面都具有明顯的優(yōu)勢。等離子體增強原子層沉積（PE-ALD）是對ALD技術(shù)的擴展，通過等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性，從而拓展了ALD對前驅(qū)源的選擇范圍和應(yīng)用要求，縮短了反應(yīng)周期的時間，同時也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實現(xiàn)低溫甚至常溫沉積，適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。另外，等離子體的引入可以進一步的去除薄膜中的雜質(zhì)，可以獲得較低的電阻率和較高的薄膜致密度等。此外，等離子體還可以對反應(yīng)腔室進行清洗以及對基片進行表面活化處理等。

二、等離子增強型原子層沉積設(shè)備適用范圍
具備熱ALD和PE-ALD兩種工作模式，即采用加熱或等離子輔助增強模式，可沉積多種超薄、高保形性、高臺階覆蓋能力的高質(zhì)量介質(zhì)薄膜，包括金屬氧化物和金屬氮化物，厚度可實現(xiàn)原子層的控制（1 atom-layer/cycle）。
該設(shè)備可沉積薄膜包括：氧化鋁（Al₂O₃），氮化鋁(AlN)，氧化硅(SiO₂)，氮化硅(Si₃N₄)，氧化鉿(HfO₂)，氮化鉿(Hf₃N₄)，氧化鈦(TiO₂)，氧化鉭(Ta₂O₅)，氮化鉭(TaN_x)。
上述薄膜典型應(yīng)用舉例：高介電絕緣柵、鈍化層、保護層、金屬阻擋層（勢壘層）等。

三、等離子增強型原子層沉積設(shè)備技術(shù)參數(shù)

1. 可以加工的襯底尺寸：8 英寸、6英寸、4英寸、3英寸以及破片
2. 鍍膜均勻性：8英寸襯底均勻性優(yōu)于±1%（熱法）， ±2%（等離子體增強法）
3. 工藝溫度及溫度控制精度：室溫?500°C，沉積溫度控制精度±1°C，反應(yīng)腔溫度的控制精度在±2°C
4. 傳送模式：自動Loadlock傳送系統(tǒng)
   

應(yīng)用案例
ALD可實現(xiàn)絕緣柵介質(zhì)（高介電常數(shù)）、鈍化層介質(zhì)、保護層介質(zhì)、金屬阻擋層介質(zhì)等多種材料原位生長, 可實現(xiàn)高度保形性鍍膜：