超高真空濺射系統(tǒng)
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類型,主要用途 超高真空濺射系統(tǒng),濺射沉積Pd、Ti、Zr、Ta、Al、Cu、W、 NiFe、FeMn,、CoFeS等各種納米級(jí)單層或多層納米厚度膜
品牌,極限真空 ULVAC,優(yōu)于1×10-6?Pa
膜厚 0nm～100nm
濺射速率 2-4nm/min
薄膜均勻性與重復(fù)性 3英寸襯底均勻性優(yōu)于±2 % ，重復(fù)性優(yōu)于±2%
靶材尺寸 2英寸；5個(gè)靶位；1RF源，2DC源
基片尺寸 3英寸基片與破片
商品介紹

Ulvac超高真空濺射系統(tǒng)

(Ulvac Ultra-high Vacuum Sputtering System)

儀器介紹/Instrument introduction:

真空度高且減小了顆粒影響的研究開(kāi)辟用濺射設(shè)備-超高真空濺射系統(tǒng)，該設(shè)備可以應(yīng)用于硬盤磁頭的磁性多層膜、太陽(yáng)能電池的透明電極、MEMS用絕緣材料等產(chǎn)品的研究開(kāi)辟和少量生產(chǎn)。

濺射設(shè)備的真空度通常為5×10-6Pa左右，JSP-8000則能夠達(dá)到7×10-7Pa。而且，濺射方式采用了使陰極和晶圓直立的“Side deposition methode”。顆粒附著量?jī)H為該公司晶圓和陰極上下配置的傳統(tǒng)產(chǎn)品的1/30。膜厚分布和膜特性經(jīng)過(guò)確認(rèn)，均達(dá)到了該公司現(xiàn)有產(chǎn)品的水平。 

受到電子部件開(kāi)發(fā)周期縮短的影響，使用同一臺(tái)生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行研究開(kāi)發(fā)和少量生產(chǎn)的要求日趨強(qiáng)烈。為此，在研究開(kāi)發(fā)用設(shè)備中，加入了能夠向成膜室內(nèi)自動(dòng)運(yùn)送晶圓的晶圓搬運(yùn)設(shè)備和能夠提高成膜速度的陰極。通過(guò)以上措施，處理速度能夠比以往的研究開(kāi)發(fā)設(shè)備提高5～10倍。 

主要用途/Applications：

        濺射沉積Pd、Ti、Zr、Ta、Al、Cu、W、 NiFe、FeMn,、CoFeS等各種納米級(jí)單層或多層納米厚度膜（通常低于50nm)。

設(shè)備特點(diǎn)/Features：

可做超薄薄膜

可做多層薄膜（有五個(gè)靶源）

技術(shù)指標(biāo)/Specifications：

極限真空：1×10-6 Pa

膜厚: 0nm～100nm

濺射速率：2-4nm/min

薄膜均勻性與重復(fù)性：3英寸襯底均勻性優(yōu)于±2 % ，重復(fù)性優(yōu)于±2%

靶材尺寸：2英寸；5個(gè)靶位；1RF源，2DC源

基片尺寸：3英寸基片與破片



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