場(chǎng)效應(yīng)管 絲印字M2 貼片SOT-23 N溝道 MOSFET晶體管 VISHAY
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場(chǎng)效應(yīng)管-絲印字M2-貼片SOT-23-N溝道

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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號(hào) SI2312BDS-T1-GE3
品牌 VISHAY
QQ 2530694866
封裝 SOT23
數(shù)量 320000
批號(hào) 2019+
漏源極電壓 20V
功率耗散 750mW（Ta）
不同Vgs時(shí)的柵極電荷 12nC@4.5V
驅(qū)動(dòng)電壓 1.8V，4.5V
商品介紹

商品詳情

技術(shù)參數(shù)

品牌：VISHAY
型號(hào)：SI2312BDS-T1-GE3
批號(hào)：2019+
封裝：SOT-23 
數(shù)量：320000
QQ：2530694866
工作溫度：-55°C~150°C（TJ）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET類型：N溝道
包裝：剪切帶（CT） ,帶卷（TR） 
系列：TrenchFET?
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
安裝類型：表面貼裝(SMT)
不同 Id，Vgs時(shí)的 RdsOn（最大值）：31毫歐@5A，4.5V
功率耗散（最大值）：750mW（Ta）
FET功能：-
柵源電壓 Vgss：±8V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：-
不同Vgs時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：12nC@4.5V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：850mV@250μA
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：3.9A（Ta）
漏源極電壓（Vdss）：20V
零件狀態(tài)：在售
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期：14 周
濕氣敏感性等級(jí)（MSL）：1（無限）
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況：無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求



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公司名稱 深圳市米萊歐科技有限公司
聯(lián)系賣家 姚少華 （QQ：2530694866）
電話 憧憥憤憤-憦憭憥憦憧憫憫憫
手機(jī) 憩憭憥憬憤憤憪憧憬憬憬
傳真 憧憥憤憤-憦憬憦憧憧憦憦憪
地址 廣東省深圳市
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