場效應(yīng)管 SI2308DS-T1-GE3 VISHAY 工廠大量出貨價(jià)格優(yōu)惠
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商品介紹
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型號 SI2308DS-T1-GE3
品牌 VISHAY
QQ 2530694866
封裝 SOT-23
數(shù)量 320000
批號 2019+
漏源極擊穿電壓 20V
Id-連續(xù)漏極電流 3.1A
蕞小工作溫度 - 55 C
蕞大工作溫度 + 150 C
商品介紹

技術(shù)參數(shù)

品牌：VISHAY/威世
型號：SI2308DS-T1-GE3
批號：2019+
封裝：SOT-23
數(shù)量：320000
QQ： 2530694866
制造商：Vishay
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：SOT-23-3
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：20 V
Id-連續(xù)漏極電流：3.1 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：112 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：400 mV
Vgs - 柵極-源極電壓：4.5 V
Qg-柵極電荷：10 nC
蕞小工作溫度：- 55 C
蕞大工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.6 W
配置：Single
通道模式：Enhancement
商標(biāo)名：TrenchFET
封裝：Cut Tape
封裝：MouseReel
封裝：Reel
系列：SI2
晶體管類型：1 P-Channel
商標(biāo)：Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值：9.5 S
下降時(shí)間：10 ns
產(chǎn)品類型：MOSFET
上升時(shí)間：35 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
子類別：MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：30 ns
典型接通延遲時(shí)間：11 ns
零件號別名：SI2301CDS-GE3
單位重量：8 mg




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公司名稱 深圳市米萊歐科技有限公司
聯(lián)系賣家 姚少華 （QQ：2530694866）
電話 钺钵钼钼-钻钶钵钻钺钸钸钸
手機(jī) 钳钶钵钹钼钼钴钺钹钹钹
傳真 钺钵钼钼-钻钹钻钺钺钻钻钴
地址 廣東省深圳市
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