深圳市瑞泰威科技有限公司主營(yíng)：各類驅(qū)動(dòng)IC,存儲(chǔ)IC,傳感器IC,觸摸IC銷售,
驅(qū)動(dòng)電路時(shí)應(yīng)考慮哪些因素

近幾年來(lái)MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開關(guān)電源、不間斷電源等各種、低損耗和低噪音的場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。這些功率器件的運(yùn)行狀態(tài)直接決定了設(shè)備的優(yōu)劣，而性能良好的驅(qū)動(dòng)電路又是開關(guān)器件安全可靠運(yùn)行的重要保障。在設(shè)計(jì)MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，應(yīng)考慮一下幾個(gè)因素：

（1）要有一定的驅(qū)動(dòng)功率。也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)電路能提供足夠的電流，在所要求的開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)對(duì)MOSFET和IGBT的輸入電容Ciss充電和放電。輸入電容Ciss包括柵——源之間的電容CGS和柵——漏之間的電容CGD。 MOSFET和 IGBT的開通和關(guān)斷實(shí)質(zhì)上是對(duì)其輸入電容的充放電過(guò)程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，柵極電壓VGS的上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf決定輸入回路的時(shí)間常數(shù)，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是輸入回路電阻，其中包括驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻Ri。從上式中可以知道驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻越小，驅(qū)動(dòng)速度越快。

（2）驅(qū)動(dòng)電路延遲時(shí)間要小。開關(guān)頻率越高，延遲時(shí)間要越小。

（3）大功率IGBT在關(guān)斷時(shí)，有時(shí)須加反向電壓，以防止受到干擾時(shí)誤開通。

（4）驅(qū)動(dòng)信號(hào)有時(shí)要求電氣隔離。

以PWM DC-DC全橋變換器為例，其同一橋臂的兩只開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)S上和S下相差1800，是剛好相反的，即一只開關(guān)管開通，另一只開關(guān)管要關(guān)斷，或者同時(shí)關(guān)斷。其中，兩只上臂的開關(guān)管之間和下臂的開關(guān)管必須隔離。對(duì)于中小功率的驅(qū)動(dòng)電路，用脈沖變壓器的方法實(shí)現(xiàn)隔離為簡(jiǎn)單，而在大功率的應(yīng)用場(chǎng)合，則要使用集成驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。

用什么直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片（二）

2 ML4428原理圖及功能實(shí)現(xiàn)

ML4428電機(jī)控制器不用霍爾傳感器就可為Y形無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)提供起動(dòng)和調(diào)速所需的各種功能。它采用28腳雙列表面SOIC封裝，它的內(nèi)部框圖如圖1所示〔1〕，ML4428使用鎖相環(huán)技術(shù)，從電機(jī)線圈檢測(cè)反電勢(shì)，確定換向次序；采用專門的反電勢(shì)檢測(cè)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)三相無(wú)刷直流換向且不受PWM噪聲及電機(jī)緩沖電路的影響；采用了檢查轉(zhuǎn)子位置并準(zhǔn)確對(duì)電機(jī)加速的起動(dòng)技術(shù)，確保起動(dòng)時(shí)電機(jī)不會(huì)反轉(zhuǎn)并可縮短起動(dòng)時(shí)間。

2.1 反電勢(shì)檢測(cè)信號(hào)的獲得

無(wú)位置傳感器無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)的控制與有位置傳感器無(wú)刷直流電機(jī)控制的根本區(qū)別就是利用反電勢(shì)的波形尋找換向點(diǎn)。當(dāng)永磁無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，各相繞組的反電動(dòng)勢(shì)(EMF)與轉(zhuǎn)子位置密切相關(guān)。由于各相繞組是交替導(dǎo)通工作的，在某相不導(dǎo)通的時(shí)刻，其反電動(dòng)勢(shì)波形的某些特殊點(diǎn)，可代替轉(zhuǎn)子位置傳感器的功能，得到所需要的信息。

由于對(duì)于單相反電動(dòng)勢(shì)波形圖，反電動(dòng)勢(shì)過(guò)零點(diǎn)30°處對(duì)應(yīng)繞組的換向信號(hào)，找出反電動(dòng)勢(shì)過(guò)零點(diǎn)，即反電動(dòng)勢(shì)檢測(cè)的任務(wù)〔2〕。基于這一原理，在該芯片內(nèi)設(shè)計(jì)了一個(gè)獨(dú)特的反電勢(shì)檢測(cè)電路(見圖2)，由于有了中點(diǎn)模擬電路，不需從電機(jī)三相繞組中引出中線

因?yàn)樵谖覈?guó)半導(dǎo)體材料關(guān)鍵集成ic產(chǎn)出率仍然較低，很多集成ic仍依靠進(jìn)口，據(jù)新材料顯示信息，17年我國(guó)集成電路芯片進(jìn)口使用價(jià)值為2,601億美金，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了石油，是在我國(guó)第*大進(jìn)口產(chǎn)品。

在其中CPU、GPU、通用性電子控制系統(tǒng)中的FPGA/DSP、通訊裝備中的MPU和DSP、儲(chǔ)存設(shè)備中的DRAM和NandFlash、也有顯示設(shè)備中的DisplayDriver，這種商品的經(jīng)銷商還是以英國(guó)、日本、日本國(guó)及在我國(guó)臺(tái)灣省主導(dǎo)，全力以赴促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)內(nèi)生產(chǎn)制造的，非常是顯示信息控制面板驅(qū)動(dòng)器IC的國(guó)內(nèi)生產(chǎn)制造的，是現(xiàn)階段的重中之重。