怎么用萬(wàn)用表判斷可控硅的好壞？
首先我們看看可控硅的結(jié)構(gòu)及工作原理
可控硅，是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)使用。
怎么用萬(wàn)用表判斷可控硅的好壞
1、可控硅結(jié)構(gòu)
可控硅具有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2、J3），構(gòu)成了四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)，如下圖所示?？煽毓鑼?duì)外有三個(gè)電極，由層P型半導(dǎo)體引出的電極稱為陽(yáng)極A，由第三層P型半導(dǎo)體引出的電極稱為控制極G，由第四層N型半導(dǎo)體引出的電極稱為陰極K，其中控制極G的存在使得可控硅的工作特性不同于二極管。
2、可控硅工作原理
在分析可控硅工作原理時(shí)，我們經(jīng)常將這種四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)看作由一個(gè)PNP管和NPN管構(gòu)成。
當(dāng)陽(yáng)極A端加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)，此時(shí)由控制極G端輸入正向觸發(fā)信號(hào)，使得BG2管有基極電流ib2通過(guò)，經(jīng)過(guò)BG2管的放大后，其集電極電流為ic2=β2ib2。而ic2沿電路流至BG1的基極，故有ib1=ic2，電流又經(jīng)BG1管的放大作用后，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2。此電流又流回BG2的基極，使得BG2的基極電流ib2增大，從而形成正向反饋使電流劇增，進(jìn)而使得可控硅飽和并導(dǎo)通。由于在電路中形成了正反饋，所以可控硅一旦導(dǎo)通后無(wú)法關(guān)斷，即使控制極G端的電流消失，可控硅仍能繼續(xù)維持這種導(dǎo)通的狀態(tài)。

智能可控硅模塊在各行業(yè)的應(yīng)用廣泛，如;電解、電鍍、調(diào)溫、調(diào)光、電焊、蓄電池充放電、直流電機(jī)調(diào)速、交流電機(jī)軟起動(dòng)、穩(wěn)壓電源裝置、勵(lì)磁等。據(jù)有關(guān)單位提供的信息來(lái)看，智能可控硅模塊主要有以下特點(diǎn)：
1、采用進(jìn)口玻璃鈍化方芯片，模塊導(dǎo)通壓降小，功耗低，節(jié)能效果顯著。
2、控制觸發(fā)電路采用進(jìn)口貼片元器件組裝，全部元器件進(jìn)行高溫老化篩選，可靠性高。
3、采用陶瓷覆銅工藝，焊接工藝獨(dú)特，絕緣強(qiáng)度高，導(dǎo)熱性能好，電流承載能力大，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)是國(guó)標(biāo)的進(jìn)10倍。
4、控制觸發(fā)電路，主電路，導(dǎo)熱底板之間相互絕緣，介電強(qiáng)度≥2500ⅤAC 導(dǎo)熱底板不帶電，安全可靠。
5、控制端口輸入0-10V直流信號(hào)，可對(duì)主電路輸出進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)。
6、控制方式可為：手動(dòng)電位器控制;儀表控制;微機(jī)控制;PLC控制等。
7、適用于阻性或感性負(fù)載。

可控硅的好壞如何判斷？
方法一：測(cè)量極間電阻法
將萬(wàn)用表置于皮R×1k檔，如果測(cè)得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬(wàn)用表置于R×10檔測(cè)得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆 時(shí)，就說(shuō)明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：
1、若測(cè)得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí)．就說(shuō)明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；
2、如果測(cè)得T1－G之間的正反向電阻很大(接近∞)時(shí)，說(shuō)明控制極G與主電極T1之間內(nèi)部接觸不良或開路損壞，也不能使用。
方法二：檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力A
萬(wàn)用表置于R×10檔：①如圖,1(a)所示，用黑表筆接主電極T2，紅表筆接T1，即給T2加正向電壓，再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開，如果表頭指針發(fā)生了較大偏轉(zhuǎn)并停留在一固定位置，說(shuō)明雙向可控硅中的一部分(其中一個(gè)單向可控硅)是好的，改黑表筆接主電極T1，紅表筆接T2，即給T1加正向電壓，再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開，如果結(jié)果同上，也證明雙向可控硅中的另一部分(其中的一個(gè)單向可控硅是好的。測(cè)試到止說(shuō)明雙向可控硅整個(gè)都是好的，即在兩個(gè)方向(在不同極性的觸發(fā)電壓證）均能觸發(fā)導(dǎo)通。
方法三：檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力B
取一只10uF左右的電解電容器，將萬(wàn)用表置于R×10k檔(V電壓)，對(duì)電解電容器充電3~5s后用來(lái)代替圖1中的短路線，即利用電容器上所充的電壓作為觸發(fā)信號(hào)，然后再將萬(wàn)用表置于R×10檔，照?qǐng)D2(b)連接好后進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試時(shí)，電容C的極性可任意連接，同樣是碰觸一下后離開，觀察表頭指針偏轉(zhuǎn)情況，如果測(cè)試結(jié)果與“方法二’相同，就證明雙向可控硅是好的。
應(yīng)用此法判斷雙向可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通能力更為可靠。由于電解電容器上充的電壓較高，使觸發(fā)信號(hào)增大，更利于判斷大功率雙向可控硅的觸發(fā)能力。

可控硅的作用一：可控整流作用
可控硅的作用之一就是可控整流，這也是可控硅基本也重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒(méi)有實(shí)現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構(gòu)成了一個(gè)可控整流電路。
在一個(gè)基本的單相半波可控整流電路中，當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時(shí)，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時(shí)，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通，負(fù)載上才會(huì)有電壓輸出，因此可以通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖到來(lái)的時(shí)間，來(lái)進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值，達(dá)到可控整流的作用。
可控硅的作用二：用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)
可控硅的作用之二就是用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)，經(jīng)常用于自動(dòng)化設(shè)備中，代替通用繼電器，具有無(wú)噪音、壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。
可控硅的作用三：開關(guān)和調(diào)壓作用
可控硅的作用之三就是起到開關(guān)和調(diào)壓的作用，經(jīng)常應(yīng)用于交流電路中，由于其被觸發(fā)時(shí)間不同，因此通過(guò)它的電流只有其交流周期的一部分，通過(guò)它的電壓只有全電壓的一部分，因而起到調(diào)節(jié)輸出電壓的作用。