強元芯電子（廣東）有限公司主營：整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復二極管

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貼片整流橋的主要參數(shù)符號意義——反向電流與擊穿電壓反向電流指的是整流橋未擊穿時反向電流值。溫度對IR的影響很大。例如DB橋系列整流橋在100°C條件IR應小于500uA;在25°C時IR應小于5uA。擊穿電壓指的是整流橋反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時，則指給定反向漏電流條件下的電壓值。

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您不得不承認在這個無電不歡的世界，整流橋對我們有多么重要，以致在選擇整流橋的時候，我們需要高質量，不發(fā)熱品質過硬的整流橋。

ASEMI整流橋,正是這一領域的專家，所用GPP鍍金工藝芯片,99.99純度的無氧銅構建框架與引腳.只為求更穩(wěn)定的品質。產(chǎn)品特點：穩(wěn)定性好、一致性好、抗浪涌好、生產(chǎn)安裝方便，極高的性價比一經(jīng)推出,就深受國內(nèi)外用戶的好評！

D35XT80、D35XT160、DGL50-2B等

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ASEMI貼片整流橋產(chǎn)品介紹：

貼片整流橋型號：MB6S 主要參數(shù)：（1A 600V  ）盤裝：3000PCS/盤 主要用于 LED 電源 蘋果充電器 等相關電器。本產(chǎn)品質量保證 高穩(wěn)定和可靠性一致性較好。歡迎咨詢 取樣測試。

一般而言，對于損耗比較小(<3.0W)的元器件都可以采用自然冷卻的方式來解決元器件的散熱問題。當整流橋的損耗不大時，可采用自然冷卻方式來處理。此時，整流橋的散熱途徑主要有以下兩個方面:整流橋的殼體(包括前后兩個比較大的散熱面和上下與左右散熱面)和整流橋的四個引腳。通常情況下，整流橋的上下和左右的殼體表面積相對于前后面積都比較小，因此在分析時都不考慮通過這四個面(上下與左右表面)的散熱。