SI2302DS-T1-GE3場效應(yīng)管mos管SOT2320V/6AN溝道
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商品介紹
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聯(lián)系方式
產(chǎn)品特性 大功率
品牌 VBsemi(臺灣微碧)
型號 SI2302DS-T1-GE3
封裝 SOT23
批號 20+
FET類型 增強型
漏源電壓(Vdss) 20V
漏極電流(Id) 6A
漏源導(dǎo)通電阻(RDS On) 28mΩ@4.5V
柵源電壓(Vgs) ± 12V
柵極電荷(Qg) 8.8
反向恢復(fù)時間 /
最大耗散功率 2.1mW
配置類型 N溝道
工作溫度范圍 /
安裝類型 /
應(yīng)用領(lǐng)域 Array
商品介紹
  • 技術(shù)參數(shù)


品牌:

VBsemi臺灣微碧
型號:SI2302DS-T1-GE3

批號:

20+
封裝:

SOT23-3

溝道類型:N溝道
漏源電壓(Vdss):20V
漏極電流(Id):6A
漏源導(dǎo)通電阻(RDS On):

28mΩ@4.5V

柵源電壓(Vgs):±20V
耗散功率:1.4W


  • 品牌介紹

 










 

  • 規(guī)格書

 


  •  用途/應(yīng)用領(lǐng)域

 

          3C數(shù)碼、安防設(shè)備、測量儀器、廣電教育、家用電器、軍工/航天、可穿戴設(shè)備、汽車電子、網(wǎng)絡(luò)通信、物聯(lián)網(wǎng)IoT、新能源、醫(yī)療電子、照明電子、智能家居



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公司名稱 深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系賣家 張先生 (QQ:3003525560)
電話 射尋尋-将尅尅專尉專專
手機 専專専将尅尉尋專尋專尅
地址 廣東省深圳市