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IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（二）

IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫(xiě)，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級(jí)的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。

工業(yè)范疇很大，尤其是隨著工業(yè)4.0概念的提出，不止是數(shù)據(jù)采集、大數(shù)據(jù)分析、企業(yè)上云，還需要將分析處理完的數(shù)據(jù)返回到現(xiàn)場(chǎng)，參與到具體的控制中，從而形成真正的閉環(huán)。而電機(jī)驅(qū)動(dòng)作為整個(gè)閉環(huán)中的執(zhí)行器環(huán)節(jié)，其性能好壞直接影響到整個(gè)閉環(huán)的性能。瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC廠家，是國(guó)內(nèi)IC電子元器件的代理銷(xiāo)售企業(yè)，專(zhuān)業(yè)從事各類(lèi)驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷(xiāo)售，品類(lèi)齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。

因此，工業(yè)4.0對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)提出了更高的性能和功能要求，例如更快的響應(yīng)速度、更高的帶寬、更高的精度的位置和速度控制、以及更豐富的網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)功能等。同時(shí)，還迫切要求電機(jī)尺寸越來(lái)越小、功率密度越大越好，就像當(dāng)前應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器人領(lǐng)域的書(shū)本型伺服驅(qū)動(dòng)器，通常還沒(méi)有一本《新華字典》大。

由于壽命長(zhǎng)、可高密度安裝等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)，LED燈在汽車(chē)上的應(yīng)用越來(lái)越廣。例如：尾燈、外飾燈、前照燈等。隨著LED燈作為車(chē)燈應(yīng)用的越來(lái)越普及，設(shè)計(jì)上的靈活性、可維護(hù)性等相應(yīng)的需求也日益高漲，插座型LED燈也就應(yīng)運(yùn)而生了。

相比傳統(tǒng)的LED電路板，這種插座型LED燈像LED燈泡一樣容易更換，易于維修，但卻有一個(gè)嚴(yán)重的問(wèn)題，因?yàn)椴遄碾娐钒迕娣e很小，無(wú)法裝下足夠的元器件，致使電池欠壓時(shí)燈會(huì)熄滅。所以選對(duì)驅(qū)動(dòng)ic對(duì)LED車(chē)燈很重要。瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC廠家，是國(guó)內(nèi)IC電子元器件的代理銷(xiāo)售企業(yè)，專(zhuān)業(yè)從事各類(lèi)驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷(xiāo)售，品類(lèi)齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。