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旁流水處理器阻銹、防腐：當(dāng)水體接受高頻電磁能量的作用后，單個(gè)水分子包容了溶解在水中氧分子，使溶解氧成為惰性氧，切斷了金屬銹蝕所需氧的來源。同時(shí)，高頻電磁波激起的懸垂復(fù)合調(diào)制頻率的電磁場所產(chǎn)生的“集膚效應(yīng)”在管壁上聚集了過剩的負(fù)正荷，而水內(nèi)部聚集了剩的正電荷，水中的過剩的正電荷，強(qiáng)烈排斥帶正電的同性Fe+,阻止Fe失去電子變?yōu)镕e+,從金屬管壁分離進(jìn)入水中,(系統(tǒng)中產(chǎn)生的黃色銹水就是Fe+在水中呈現(xiàn)的顏色)。同時(shí)管壁上過剩的負(fù)電子也不斷吸引帶正電的Fe+,阻礙Fe+溶入水中,從而能使原有管壁上的Fe2O3(紅銹)還原成具極強(qiáng)耐腐蝕力的黑銹外膜Fe3O4?；钚匝踉诠鼙谏仙a(chǎn)氧化被膜，阻止管道腐蝕，運(yùn)行中活性氧對(duì)水管壁持續(xù)鍍膜、鈍化。微生物腐蝕、沉積腐蝕被抑制。

開式旁流水處理器設(shè)計(jì)選型1．按推薦安裝方式設(shè)計(jì)時(shí)，HG-II-F的進(jìn)水口與系統(tǒng)水泵的出水管相連接，HG-II-F的出水口與系統(tǒng)水泵的進(jìn)水管相連接。HG-II-F的開啟與關(guān)閉由水流開關(guān)進(jìn)行控制。2．HG-II-F的進(jìn)出水口附近應(yīng)設(shè)置壓力表，水處理器進(jìn)出水口的水壓可反映水處理器的工作狀況。3．水處理器應(yīng)安裝在有較好通風(fēng)的室內(nèi)。4．對(duì)于新系統(tǒng)，在系統(tǒng)正式起用前，必須沖洗整個(gè)管道系統(tǒng)，排除系統(tǒng)中的焊渣、鐵絲、鋼管氧化皮等雜質(zhì)，排盡系統(tǒng)中的黃銹水。5．對(duì)于結(jié)垢嚴(yán)重（垢厚>3mm）的老系統(tǒng)，安裝HG-II型旁流水處理器之前應(yīng)預(yù)先清洗整個(gè)系統(tǒng)，以防老垢脫落堵塞管道。

微晶旁流水處理器，產(chǎn)生一系列物理化學(xué)性質(zhì)的微小彈性變化，如木偶極矩增大、極性增加，因而增加了水的水合能力和溶垢能力;水中所含鹽類離子如Ca2+、Mg2+受到電場引力作用，排列發(fā)生變化，難于趨向器壁積聚;特定的能場改變CaCO3結(jié)晶過程，抑制方解石產(chǎn)生，提供產(chǎn)生文石結(jié)晶的能量;在電場作用下，處理器產(chǎn)生大量的微晶，微晶可將水中易成垢高子優(yōu)先去除，形成疏松的文石，經(jīng)輔機(jī)分離排出系統(tǒng)，從而達(dá)到防垢的目的;水經(jīng)處理后產(chǎn)生活性氧。對(duì)于已經(jīng)結(jié)垢的系統(tǒng)，活性氧破壞垢分子間的電子結(jié)合力，改變晶體結(jié)構(gòu)，使堅(jiān)硬老垢變?yōu)槭杷绍浌福@樣積垢逐漸剝落，乃至成為碎片、碎屑脫落，達(dá)到除垢的目的。