深圳市瑞泰威科技有限公司主營(yíng)：各類驅(qū)動(dòng)IC,存儲(chǔ)IC,傳感器IC,觸摸IC銷售,
TMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器

1995 年，由美國(guó)麻省理工學(xué)院和日本東北大學(xué)的兩個(gè)研究小組獨(dú)立發(fā)現(xiàn)，將兩個(gè)磁性電極層之間用極薄的絕緣層分開(kāi)會(huì)產(chǎn)生很大的磁電阻效應(yīng)(室溫下達(dá)到11%)。這種由磁性層/絕緣層/磁性層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，稱為磁性隧道結(jié)(MTJ)。在MTJ 中，中間的絕緣層很薄(幾個(gè)納米)，使得可以有大量電子隧穿通過(guò)。通過(guò)隧道結(jié)的電流依賴于兩個(gè)磁性層的磁化強(qiáng)度矢量的相對(duì)取向。這種隧穿電流隨外磁場(chǎng)變化的效應(yīng)被稱為隧道磁電阻(TMR)效應(yīng)。隧道磁電阻效應(yīng)可以由Julliere 雙電流模型解釋。假定電子在隧穿過(guò)程中自旋不發(fā)生翻轉(zhuǎn)，并且隧穿電流正比于費(fèi)米面附近電子的態(tài)密度。當(dāng)MTJ兩側(cè)鐵磁層處于平行排列時(shí)，左側(cè)的少子電子向右側(cè)的少子空態(tài)隧穿，左側(cè)的多子電子向右側(cè)的多子空態(tài)隧穿，MTJ 處于低阻態(tài)；當(dāng)MTJ兩側(cè)鐵磁層處于反平行排列時(shí)，左側(cè)的少子電子向右側(cè)的多子空態(tài)隧穿，而左側(cè)的多子電子向右側(cè)的少子空態(tài)隧穿，MTJ 呈現(xiàn)高阻態(tài)。

由于貼合TMR器件與超導(dǎo)磁放大器的低溫膠過(guò)厚導(dǎo)致TMR—超導(dǎo)磁放大器間距過(guò)大(50 μm)，使得TMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器的靈敏度、探測(cè)精度較GMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器、SQUID 等器件仍有明顯差距。理論計(jì)算表明，減小TMR—超導(dǎo)磁放大器間距將使得磁場(chǎng)放大倍數(shù)呈指數(shù)形式上升；若能將TMR—超導(dǎo)磁放大器間距降低至0.5 μm以內(nèi)，磁場(chǎng)放大倍數(shù)可接近1000 倍。今后可通過(guò)熱壓印等技術(shù)減小TMR—超導(dǎo)磁放大器間距，從而提高器件的靈敏度。

A1330器件介紹

為了滿足那些需要冗余傳感器的系統(tǒng)要求，A1330可提供單芯片和雙芯片版本，它們都包含有片上EEPROM技術(shù)，能夠支持多達(dá)100次的讀/寫(xiě)，可用于靈活的下線參數(shù)校準(zhǔn)。

兩個(gè)版本都非常適合需要0°至360°角度測(cè)量的車規(guī)級(jí)應(yīng)用，例如EPS的電機(jī)位置測(cè)量，以及需要低延遲和高分辨率的泵類與變速箱執(zhí)行器以及其他高速執(zhí)行器。A1330還包括有片上角度縮放功能，以支持小至11.25°等需要較短角位移的應(yīng)用，這些包括閥門(mén)位置、踏板位置和油箱油位感應(yīng)等。

CMOS圖像傳感器Ic介紹

CMOS圖像傳感器Ic又稱為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器。是一種用傳統(tǒng)的半導(dǎo)體芯片工藝方法將光敏元件、放大器、ADC/存儲(chǔ)器、數(shù)字信號(hào)處理器和計(jì)算機(jī)接口電路集成在一塊硅片上的圖像傳感器。

瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC廠家，是國(guó)內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)產(chǎn)品原裝zheng品。

CMOS圖像傳感器的特點(diǎn)：結(jié)果簡(jiǎn)單、成品率高、價(jià)格低廉。應(yīng)用也比較廣泛：如網(wǎng)絡(luò)攝像頭、超市、樓宇之間的監(jiān)控、手機(jī)照相、汽車倒車影像、安防。

CMOS圖像傳感器結(jié)構(gòu)：像素矩陣、模擬信號(hào)處理單元、數(shù)字信號(hào)處理單元、內(nèi)嵌微控制器、寄存器控制接口、數(shù)據(jù)輸出端口、JPEG壓縮