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同步整流的損耗同步整流管的損耗計(jì)算一般也是包括以下幾方面：■導(dǎo)通損耗■開(kāi)關(guān)損耗■驅(qū)動(dòng)損耗■反向恢復(fù)損耗■死區(qū)時(shí)間二極管損耗同步整流的損耗—Rds_onvsQg導(dǎo)通損耗一般由功率拓?fù)浜瓦x用MOS的Rdson決定，值得指出的是，導(dǎo)通損耗，開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗Pgate存在一定的權(quán)衡關(guān)系，由于MOS的Qg和Rdson成反比，而Qg大小一定程度上又與開(kāi)關(guān)損耗成反比。所以，需要選擇合適而不是Rdson的MOS。另外，值得指出的是在一些自驅(qū)動(dòng)線路中，驅(qū)動(dòng)電平Ug在高壓較高會(huì)帶來(lái)額外的損耗也需要考慮其中。
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1）自驅(qū)動(dòng)同步整流關(guān)機(jī)時(shí)候在前一階段為同步整流模式，電壓掉到一定程度，變?yōu)槎O管模式，從而帶來(lái)不同的輸出電壓下降斜率。2）外驅(qū)動(dòng)同步整流原邊關(guān)機(jī)后，副邊未正確的及時(shí)關(guān)斷。解決思路：1）采用一定的控制方法控制副邊同步整流管在原邊關(guān)斷后快速關(guān)斷，變?yōu)槎O管模式關(guān)機(jī)。2）采用一定的方法控制副邊同步整流軟關(guān)斷。同步整流—更好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)值得指出的一點(diǎn)是，同步整流線路不僅僅能帶來(lái)效率的提升，在提高電路的動(dòng)態(tài)響應(yīng)方面，如果采用CCM模式的同步整流，會(huì)帶來(lái)動(dòng)態(tài)響應(yīng)的提升。二極管在低載情況下，環(huán)路特性會(huì)非常難以補(bǔ)償從而帶來(lái)較差的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，而CCM的同步整流，在空滿載情況下是接近的來(lái)源：電源研發(fā)精英圈
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模擬集成電路主要是指由電容、電阻、晶體管等元件組成的模擬電路集成在一起用來(lái)處理模擬信號(hào)的集成電路。有許多的模擬集成電路，如集成運(yùn)算放大器、比較器、對(duì)數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘（除）法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有：放大器、濾波器、反饋電路、基準(zhǔn)源電路、開(kāi)關(guān)電容電路等。模擬集成電路設(shè)計(jì)主要是通過(guò)有經(jīng)驗(yàn)的設(shè)計(jì)師進(jìn)行手動(dòng)的電路調(diào)試，模擬而得到，與此相對(duì)應(yīng)的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)大部分是通過(guò)使用硬件描述語(yǔ)言在EDA軟件的控制下自動(dòng)的綜合產(chǎn)生。