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高速芯片溫度檢測(cè)技術(shù)

芯片在工作時(shí)容易變熱,為了保證芯片工作在一個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài),必須保證芯片溫度的變化在可容許的范圍以內(nèi)。對(duì)高速芯片采取冷卻技術(shù),首先要檢測(cè)工作時(shí)的溫度變化。溫度傳感器集成電路是一種完全基于半導(dǎo)體硅的溫度檢測(cè)新技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)擴(kuò)展測(cè)溫范圍、進(jìn)行遠(yuǎn)程溫度監(jiān)測(cè)。采用風(fēng)扇自動(dòng)控制技術(shù)與溫度傳感器集成電路,不僅可以節(jié)約成本,而且減少噪音污染,是高速芯片冷卻技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。

深圳瑞泰威科技有限公司是國(guó)內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。與國(guó)內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。自公司成立以來，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費(fèi)類IC等行業(yè)。

磁電阻/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器原理

磁電阻/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器早由D. Robbes等人提出，該類傳感器主要由磁電阻傳感器和超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器構(gòu)成。其中超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器是一個(gè)由超導(dǎo)薄膜構(gòu)成的閉合環(huán)路。超導(dǎo)環(huán)路中有一段寬度狹窄區(qū)域。磁電阻傳感器位于超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器環(huán)路狹窄區(qū)域上方并由絕緣層分隔。

對(duì)于超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器而言，其磁場(chǎng)放大倍數(shù)主要由放大器的尺寸和狹窄區(qū)域?qū)挾葲Q定。增大超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器的尺寸，以及減小狹窄區(qū)域的寬度，都會(huì)顯著增加超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器的磁場(chǎng)放大倍數(shù)。例如，理論計(jì)算表明，當(dāng)超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器直徑達(dá)到25 mm，狹窄區(qū)域?qū)挾葹? μm時(shí)，磁場(chǎng)放大倍數(shù)將達(dá)到3500 倍，而相應(yīng)的磁電阻/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器的磁場(chǎng)探測(cè)能力將有望達(dá)到1 f，甚至更低的磁場(chǎng)。

磁電阻/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器的性能不僅取決于超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器的磁場(chǎng)放大能力，同時(shí)也取決于磁電阻傳感器的靈敏度、噪聲等特性。目前在磁電阻傳感器領(lǐng)域性能為優(yōu)異、同時(shí)有應(yīng)用價(jià)值及潛力的當(dāng)屬GMR和TMR磁傳感器。下面將分別對(duì)GMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器的發(fā)展及本課題組在TMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器制備、測(cè)試方面開展的工作進(jìn)行介紹。

CMOS圖像傳感器Ic設(shè)置參數(shù)是否有規(guī)定

CMOS圖像傳感器ic的關(guān)鍵參數(shù)：ISO感光度（表示傳統(tǒng)相機(jī)所使用的底片的感光度。當(dāng)ISO數(shù)值越大時(shí)，感光度就越大）、分辨率（像素）、暗電流（在沒有入射光時(shí)光點(diǎn)二極管所釋放的電流量，一下被隔離的反向偏置的光電二極管即使在沒有任何光照的條件下，也會(huì)產(chǎn)生放點(diǎn)現(xiàn)象）、噪聲特性（主要由于數(shù)碼相機(jī)本身采用的大量電子器件，在拍攝影像質(zhì)量時(shí)很容易受到電子元器件的電磁溢波干擾，CMOS圖像傳感器上殘留的能量以及運(yùn)作環(huán)境溫度的上升，就會(huì)產(chǎn)生自然噪聲）、快門方式（主要分成卷簾式快門（Rolliong Shutter）和全局式快門（Global Shutter），卷簾式快門的優(yōu)勢(shì)在于沒有采樣保持單元，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單噪音低、全局式快門的優(yōu)勢(shì)在于拍攝運(yùn)動(dòng)物體不會(huì)失真）、動(dòng)態(tài)范圍（傳感器非飽和信號(hào)上限與暗條件下噪聲均方差之比）