東莞市瓷谷電子科技有限公司
主營產(chǎn)品: 陶瓷電容
信陽Y電容器瓷谷CE471KY5PY2Y電容器采購信息
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品牌 | 瓷谷 | ||
產(chǎn)品代碼 | CE471KY5PY2 | 溫度特性 | Y5P |
電容量 | 470 | 標(biāo)準(zhǔn)偏差 | ±10% |
本體直徑 | φ7.5 | 本體厚度 | 3.8mm |
本體高度 | 10.5mm | 引線間距 | 7.5mm |
引線長度 | 3~22mm | 引線直徑 | 0.55mm |
包封腳長度 | 2.5mm |
相關(guān)小知識:.
電容諧振頻率的解釋
由于焊盤和引腳的原因,每個電容都存在等效串聯(lián)電感(ESL),因此自身會形成一個串聯(lián)諧振電路,LC串聯(lián)諧振電路存在一個諧振頻率,隨著電力的頻率不同,電容的特性也隨之變化,在工作頻率低于諧振頻率時,電容總體呈容性,在工作頻率高于諧振頻率時,電容總體呈感性,此時去耦電容就失去了去耦的效果,如下圖所示。因此,要提高串聯(lián)諧振頻率,就要盡可能降低電容的等效串聯(lián)電感。
電容的容值選擇一般取決于電容的諧振頻率。
不同封裝的電容有不同的諧振頻率,下表列出了不同容值不同封裝的電容的諧振頻率:
需要注意的是數(shù)字電路的去耦,低的ESR值比諧振頻率更為重要,因為低的ESR值可以提供更低阻抗的到地通路,這樣當(dāng)超過諧振頻率的電容呈現(xiàn)感性時仍能提供足夠的去耦能力。
降低去耦電容ESL的方法:
去耦電容的ESL是由于內(nèi)部流動的電流引起的,使用多個去耦電容并聯(lián)的方式可以降低電容的ESL影響,而且將兩個去耦電容以相反走向放置在一起,從而使它們的內(nèi)部電流引起的磁通量相互抵消,能進(jìn)一步降低ESL。(此方法適用于任何數(shù)目的去耦電容,注意不要侵犯DELL公司的專利)
IC去耦電容的數(shù)目選擇
在設(shè)計原理圖的時候,經(jīng)常遇到的問題是為芯片的電源引腳設(shè)計去耦電容,上面已經(jīng)介紹了去耦電容的容值選擇,但是數(shù)目選擇怎么確定呢?理論上是每個電源引腳分配一個去耦電容,但是在實際情況中,卻經(jīng)??吹饺ヱ铍娙莸臄?shù)目要少于電源引腳數(shù)目的情況,如freescale提供的iMX233的PDK原理圖中,內(nèi)存SDRAM有15個電源引腳,但是去耦電容的數(shù)目是10個。
去耦電容數(shù)目選擇依據(jù):
在布局空間允許的情況下,做到一個電源引腳分配一個去耦電容,但是在空間不足的時候,可以適當(dāng)削減電容的數(shù)目,具體情況應(yīng)該根據(jù)芯片上電源引腳的具體分布決定,因為廠家在設(shè)計IC的時候,經(jīng)常是幾個電源引腳在一起,這樣可以共用去耦電容,減少去耦電容的數(shù)目。