PMV65XP-晶體管-FET-MOSFET
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PMV65XP,215 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單 (百分百進口原裝,常備現(xiàn)貨,大量庫存)PMV65XP,215 PMV65XP,215 PMV65XP,215
制造商: Nexperia
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 2.8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 74 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 470 mV
Vgs - 柵極-源極電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 7.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 833 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
高度: 1 mm
長度: 3 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
晶體管類型: 1 P-Channel Trench MOSFET
寬度: 1.4 mm
商標: Nexperia
下降時間: 68 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 18 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 135 ns
典型接通延遲時間: 7 ns
零件號別名: PMV65XP T/R
單位重量: 8 mg
制造商: Nexperia
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 2.8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 74 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 470 mV
Vgs - 柵極-源極電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 7.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 833 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
高度: 1 mm
長度: 3 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
晶體管類型: 1 P-Channel Trench MOSFET
寬度: 1.4 mm
商標: Nexperia
下降時間: 68 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 18 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 135 ns
典型接通延遲時間: 7 ns
零件號別名: PMV65XP T/R
單位重量: 8 mg