PMV65XP,215  分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 >  晶體管 - FET，MOSFET - 單 (百分百進口原裝，常備現(xiàn)貨，大量庫存）PMV65XP,215  PMV65XP,215  PMV65XP,215  

制造商: Nexperia

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V

Id-連續(xù)漏極電流: 2.8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 74 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 470 mV

Vgs - 柵極-源極電壓: 4.5 V

Qg-柵極電荷: 7.7 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 833 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

高度: 1 mm  

長度: 3 mm  

產(chǎn)品: MOSFET Small Signal  

晶體管類型: 1 P-Channel Trench MOSFET  

寬度: 1.4 mm  

商標: Nexperia  

下降時間: 68 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 18 ns  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 135 ns  

典型接通延遲時間: 7 ns  

零件號別名: PMV65XP T/R  

單位重量: 8 mg

制造商: Nexperia

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V

Id-連續(xù)漏極電流: 2.8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 74 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 470 mV

Vgs - 柵極-源極電壓: 4.5 V

Qg-柵極電荷: 7.7 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 833 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

高度: 1 mm  

長度: 3 mm  

產(chǎn)品: MOSFET Small Signal  

晶體管類型: 1 P-Channel Trench MOSFET  

寬度: 1.4 mm  

商標: Nexperia  

下降時間: 68 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 18 ns  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 135 ns  

典型接通延遲時間: 7 ns  

零件號別名: PMV65XP T/R  

單位重量: 8 mg