SPW17N80C3原裝 INFINEON/英飛凌  MOSFET   SPW17N80C3  SPW17N80C3 SPW17N80C3

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 環(huán)保

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: PG-TO-247-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V

Id-連續(xù)漏極電流: 17 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 290 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 88 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 227 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: CoolMOS

封裝: Tube

高度: 21.1 mm  

長度: 16.13 mm  

系列: CoolMOS C3  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.21 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

下降時(shí)間: 12 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 15 ns  

工廠包裝數(shù)量: 240  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 72 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 25 ns  

零件號(hào)別名: SP000013369 SPW17N80C3FKSA1 SPW17N8C3XK  

單位重量: 38 g  

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 環(huán)保

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: PG-TO-247-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V

Id-連續(xù)漏極電流: 17 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 290 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 88 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 227 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: CoolMOS

封裝: Tube

高度: 21.1 mm  

長度: 16.13 mm  

系列: CoolMOS C3  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.21 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

下降時(shí)間: 12 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 15 ns  

工廠包裝數(shù)量: 240  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 72 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 25 ns  

零件號(hào)別名: SP000013369 SPW17N80C3FKSA1 SPW17N8C3XK  

單位重量: 38 g  

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