型號；IXFH30N50P

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息 技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-ChannelVds-

漏源極擊穿電壓:500 VId-

連續(xù)漏極電流:30 ARds On-

漏源導通電阻:200 mOhmsVgs - 

柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 CPd-

功率耗散:460 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HyperFET

封裝:Tube

高度:21.46 mm 

長度:16.26 mm

 系列:IXFH30N50 

晶體管類型:1 N-Channel 

寬度:5.3 mm 

商標:IXYS 

正向跨導 - 最小值:27 S

 下降時間:24 ns 

產(chǎn)品類型:MOSFET 

上升時間:24 ns 

工廠包裝數(shù)量:30 

子類別:MOSFETs

 典型關閉延遲時間:82 ns 

典型接通延遲時間:25 ns

 單位重量:6.500 g

Mouser編號：747-IXFH30N50P

制造商編號：IXFH30N50P

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制造商：IXYS

說明：MOSFET 500V 30A

數(shù)據(jù)表: IXFH30N50P 數(shù)據(jù)表