厚膜電阻器：厚膜電阻器是把金屬類電阻材料與有機填料混合起來印刷后燒成，還可以在其上印刷保護層，使用范圍廣。

 現在成為主流的通用片狀電阻器和電阻排也使用這種類型的電阻體。還有，噪聲也比碳膜電阻低，流通量僅次于碳膜電阻器。

 薄膜電阻器：薄膜電阻器主要是進行真空蒸發(fā)，以形成電阻體，與厚膜制作;法和特性不同。

 制造設備規(guī)模大，電阻材料自由度大，能夠得到好性能的電阻器。

電阻值的范圍大約為100一1MQ，溫度系數為土100-5ppm/℃。由于電阻的連續(xù)性好、噪聲小，適用于高精度/小信號的電路。

 金屬氧化膜電阻器：金屬氧化膜電阻器是把錫等金屬的化合物加熱氧化后得到的，俗稱“金屬氧化物”。

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一份電路在其輸出端串接了一個22K的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10M的電阻，這是由于連接晶振的芯片端內部是一個線性運算放大器。

 將輸入進行反向180度輸出，晶振處的負載電容電阻組成的網絡提供另外180度的相移，整個環(huán)路的相移360度，滿足振蕩的相位條件，同時還要求閉環(huán)增益大于等于1，晶體才正常工作。

 電阻的作用是將電路內部的反向器加一個反饋回路，形成放大器，當晶體并在其中會使反饋回路的交流等效按照晶體頻率諧振，由于晶體的Q值非常高。

 因此電阻在很大的范圍變化都不會影響輸出頻率。過去，曾經試驗此電路的穩(wěn)定性時，試過從100K～20M都可以正常啟振，但會影響脈寬比的。

串進去的電阻是用來限制振蕩幅度的，并進去的兩顆電容根據LZ的晶振為幾十MHZ一般是在20~30P左右，主要用與微調頻率和波形，并影響幅度，并進去的電阻就要看ICspec了，有的是用來反饋的，有的是為過EMI的對策

 可是轉化為并聯(lián)等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，這是有現成的公式的。晶體的等效Rp很大很大。外面并的電阻是并到這個Rp上的，于是，降低了Rp值----->增大了Re----->降低了Q

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繞線電阻絕緣骨架是由陶瓷、塑料、涂覆絕緣層的金屬等材料制成管形、扁形等各種形狀。

 電阻絲在骨架上根據需要可以繞制一層，也可繞制多層，或采用無感繞法等。繞線電阻器是用電阻絲繞在絕緣骨架上構成的。

 電阻絲一般采用具有一定電阻率的鎳鉻、錳銅等合金制成。

 繞線電阻數值精，從理論上說，除非是做充電器輸出電壓基準外，一般的充電器都不用線繞電阻。

否則會導致自激，而影響震蕩頻率，從而使輸出波動較大，只有低電壓端的采樣基準電路可能會用繞線電阻。

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