IRF740PBF的主要參數(shù)

型號：IRF740PBF

制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220AB-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-ChannelVds-

漏源極擊穿電壓:400 VId-

連續(xù)漏極電流:10 ARds On-

漏源導通電阻:550 mOhmsVgs th-

柵源極閾值電壓:2 VVgs - 

柵極-源極電壓:10 VQg-

柵極電荷:63 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 CPd-

功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:15.49 mm 

長度:10.41 mm

 系列:IRF 

晶體管類型:1 N-Channel 

寬度:4.7 mm 

商標:Vishay / Siliconix 正向跨導 -

 最小值:5.8 S

 下降時間:24 ns

 產(chǎn)品類型:MOSFET

 上升時間:27 ns

 工廠包裝數(shù)量:50 

子類別:MOSFETs 

典型關閉延遲時間:50 ns 

典型接通延遲時間:14 ns 

零件號別名:SIHF740-E3 

單位重量:6 g

Mouser編號：844-IRF740PBF

制造商編號：IRF740PBF

制造商：Vishay / Siliconix

說明：MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF740PBF

公司簡介：

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