AO4606場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 互補(bǔ)MOSFET可用于形成電平移位的高側(cè)開(kāi)關(guān)，并用于許多其他應(yīng)用。

    AO4606場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)：

    制造商零件編號(hào)：AO4606

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC

    FET 類(lèi)型：2 個(gè) P 溝道（雙）

    FET 功能：邏輯電平門(mén)

    漏源極電壓 (Vdss)：30V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：6A

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：25 毫歐 @ 6A，10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：19nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1250pF @ 15V

    功率 - 最大值：2W

    安裝類(lèi)型：表面貼裝

    封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

    供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC

    工作原理：

    場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō)，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說(shuō)，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng)，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門(mén)極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱(chēng)為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。

    在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng)，實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門(mén)極下部附近，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng)，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。